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公开(公告)号：CN118192067A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410492079.8
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种嵌入微型线圈式电磁驱动MEMS扫描镜，采用金属漆包线绕制的空芯微型线圈嵌入扫描镜芯片的埋线槽中，不仅简化微型线圈制造工艺，大幅度增加了微型线圈的匝数，降低驱动功耗，提升了电磁驱动力或力矩；并且，采用磁聚焦的局部强磁场偏置及优化的磁场分布，提升了微型线圈偏置磁场强度、优化了磁场方向与分布，大幅度提高了电磁驱动效率；另外，解决了多轴MEMS扫描镜的扫描轴间串扰，可以实现多轴MEMS扫描镜的准静态独立扫描，扩展了应用场景；同时，简化了电磁驱动MEMS扫描镜的制造工艺，大幅降低电磁驱动功耗，且降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN117374004A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311375429.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种基于金属粉末填充的互连结构制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底中形成有用于制造互连结构的空腔；于空腔中填充金属粉末；将金属粉末固化成导电柱而形成互连结构。采用本发明，可以极大降低TSV通孔填充的难度、缩短填充时间、降低了工艺成本；并且可以有效解决基于金属粉末孔结构填充产生的空洞等问题，优化填充质量。相较于低阻硅TSV，采用本发明制备的导电柱电导率高，适用于要求TSV导通电阻低的应用场景，扩展了TSV技术的应用场景；且相比于液体合金灌注填充TSV，晶圆垂直孔填充后表面磨抛量大幅度减小，降低了工艺成本。本发明尤其易于制造可靠性较高的厚衬底TSV基板，避免了现有填充技术的限制，扩展了应用场景。
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公开(公告)号：CN116626881A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310634507.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明提供一种隐藏式多维MEMS微反射镜、阵列、阵列式器件及其制备方法，通过多层晶圆堆叠以及两次键合工艺，实现了MEMS微镜阵列具备具有高光学质量以及高镜面占空比，还能解决多维运动结构在运动时的一系列工艺问题；还提供一种基于平面驱动电极与垂直驱动电极复合的静电驱动结构，在一定程度上降低了驱动电压，扩展了驱动行程范围，提高了静电驱动效能，多维运动结构又能够为晶圆键合提供大面积可动柔性结构的支撑，从而实现高光学面型质量的镜面、大尺寸镜面和大转角扫描，显著提高了产品的生产良率，此外，MEMS微镜阵列还拥有毫米级像素尺寸，可以实现双轴扭转与离面垂直运动，从而满足光学相控阵以及高端光刻机等高端光学系统的应用需求。
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公开(公告)号：CN115490201A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211248816.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级驱动的MEMS静电驱动器，结构包括：衬底、载荷、逐级串联的若干个一维静电驱动结构、锚点、导线及绝缘介质；每一级的一维静电驱动结构均包括外框架、至少一个静电驱动单元、及至少一个弹性梁；载荷与第一级的外框架连接；除最后一级的外框架通过最后一级的弹性梁悬挂固定到衬底以外，其余每一级的外框架均通过位于同一级的弹性梁连接下一级的外框架；静电驱动单元包括两个位置相对的梳齿集，分别布置于位于同一级的外框架，及衬底或下一级的所述外框架；每一级的外框架在位于同一级的静电驱动单元的作用下独立地实现一维运动；在各级的一维静电驱动结构的共同作用下，载荷实现无耦合干扰的多维运动或/和大位移运动。
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公开(公告)号：CN119291917A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411257226.X
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高速MEMS光学移相器及其阵列、封装结构和光学设备，移相器中：第二平面区域的驱动定梳齿与第一平面区域的驱动动梳齿构成静电梳齿驱动器；衬底层的平板驱动电极与第一平面区域的垂直运动微镜构成静电平板驱动器；位移传感器传感垂直运动微镜位移量并闭环反馈控制驱动状态。本发明中梳齿和平板的双驱动结构分别对垂直运动微镜沿两相反方向驱动，简单结构实现高速光学移相；同时闭环反馈控制与双驱动结构提高移相量控制精度；另外MEMS移相器高速移相满足低成本、低功耗、小体积的高速移相应用需求；最后MEMS片内集成位移传感器，指示MEMS光学移相器的移相量并闭环反馈调整静电梳齿驱动器和静电平板驱动器的驱动状态，提高高速移相设备性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118443277A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521443.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜及其阵列的高精度标定测试与驱动方法，包括微镜驱动信号按照设定步长进行扫描，以微镜多个驱动信号所对应的多个扫描角度，得到扫描测试数据表函数；进行函数求逆运算，得到驱动测试数据表函数；利用拟合算法或插值算法进行数据滤波、扩增，生成驱动数据表函数；基于驱动数据表函数，确定期望的扫描角度的相应微镜驱动信号，输入至MEMS微镜，以使其偏转至期望输出的扫描角度。本发明的方法采用“稀疏”的大步长扫描测试、求逆运算、拟合或插值运算的方法获取高精度的驱动数据表函数，并对所获得的驱动数据表函数的精度进行验证，以实现快速、高精度的MEMS微镜及其阵列的标定测试，极大缩短测试时间、大幅度降低标定测试成本。
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公开(公告)号：CN116395632A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310293572.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：在MEMS晶圆上键合临时封装盖板，其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片，临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔；对MEMS晶圆进行划片以得到多个分别包括一封环微结构的MEMS芯片临时封装结构；将MEMS芯片临时封装结构进行芯片封装；移除MEMS芯片临时封装结构中的封环微结构。本发明的MEMS芯片的封装方法中能够避免传统MEMS芯片封装方法中因MEMS芯片密封光窗的设置造成的光束损耗对器件性能造成的不利影响，提高了MEMS芯片的工作性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN117393447A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311169505.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种基于临时短路的垂直互连晶圆测试方法，包括以下步骤：将待测垂直互连晶圆的非扎针测试面进行临时短路，使得所有原先彼此绝缘的待测pad之间处于两两导通的状态；对待测垂直互连晶圆的扎针测试面进行垂直互连晶圆测试。本发明能够实现垂直电互连晶圆的低成本测量，尤其适用于带有密集排布垂直互连通孔的晶圆，解决了单面探针台无法直接测试此类垂直互连晶圆的问题，有利于推进晶圆级垂直电互连技术的进一步发展和使用。
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公开(公告)号：CN117361438A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311285906.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有晶圆键合密封结构的键合晶圆，其彼此键合的晶圆的键合面均包括晶圆芯片区域和分布在晶圆芯片区域以外的晶圆边缘区域，晶圆边缘区域上均设有晶圆键合密封结构，且晶圆键合密封结构均包括外围封环、以及外围封环与晶圆芯片区域之间的网格状密封结构，使得晶圆键合密封结构的实际键合面积为对应的晶圆边缘区域面积的10％至50％。该密封结构在解决晶圆密封技术问题的同时，大幅度减小了芯片区域外的实际键合面积，从而在同等键合压力条件下，增大密封结构键合压强，从而提高晶圆键合质量，能够用于整个晶圆的防水密封及真空密封。
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公开(公告)号：CN117013869A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310857751.4
申请日：2023-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的静电平板驱动器，包括透明基底，其上设有锚点；可动平板电极，通过弹性梁连接锚点；固定电极，布置在透明基底的上表面，且与可动平板电极位置相对，用于驱动可动平板电极做离面平移运动和离面扭转运动中的至少一种；发射电极，布置在可动平板电极的下表面，其接收自透明基底下表面照射的激励光，从而释放出电子；驻极体薄膜，由布置在固定电极上表面的可充电薄膜捕获并固定从发射电极释放的电子而成，用于向固定电极提供偏置电压。本发明还提供了相应的静电平板驱动器的制作方法。本发明的静电平板驱动器能够将驻极体兼容入静电平板驱动器中，以降低静电驱动电压。
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