公开(公告)号：CN119002041A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411257227.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  周碧青 ,  凌必赟 ,  王潇悦

IPC: G02B26/08 ,  G02B27/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种高带宽MEMS扫描镜器件及其设计方法，高带宽MEMS扫描镜器件最大驱动扭矩τ，微反射镜最大扫描角度θmax，柔性扭转梁扭转刚度Kθ＝τ/(θmaxN2)，N大于1；反馈控制芯片接收单片集成角度传感器感知的实时扭转角度和目标扫描角度，处理得到调整闭环反馈驱动信号闭环反馈控制微反射镜扭转。本发明中柔性扭转梁扭转刚度为常规扭转刚度的1/N2，配合反馈控制提高扫描镜器件扫描工作带宽，并打破了MEMS扫描镜提高带宽的思维惯性；同时不同尺寸微反射镜的扭转梁扭转刚度不同，保证扫描镜结构强度并优化扫描工作带宽；另外PID算法反馈控制微反射镜扭转，大幅提高扫描工作带宽。

公开(公告)号：CN116395633A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310340962.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 凌必赟 ,  吴亚明 ,  周碧青 ,  王潇悦 ,  全刚

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及一种基于粉末填充的低阻硅式TSV制造方法，包括：步骤S10，提供低阻硅片；步骤S20，在低阻硅片的第一面蚀刻形成环形盲孔；步骤S30，在环形盲孔中填充待固化粉末；步骤S40，清除低阻硅片表面残留的待固化粉末；步骤S50，对待固化粉末进行固化，形成固定于环形盲孔侧壁的电绝缘的环形支撑层；步骤S60，在低阻硅片的第二面蚀刻形成环形盲孔，用于形成从低阻硅片分离出的导电硅柱，并重复步骤S30～步骤S50；或在低阻硅片的第二面减薄至环形支撑层完全露头，形成从低阻硅片分离出的导电硅柱；步骤S70，在导电硅柱上下表面的部分区域蚀刻形成开口，使硅暴露，制造完成。本发明还涉及相应的基于粉末填充的低阻硅式TSV结构。本发明提高了TSV技术与MEMS工艺的兼容性，并优化了填充质量。

公开(公告)号：CN117361438A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311285906.8

申请日：2023-10-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王潇悦 ,  吴亚明 ,  凌必赟 ,  周碧青 ,  夏彧虎

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种具有晶圆键合密封结构的键合晶圆，其彼此键合的晶圆的键合面均包括晶圆芯片区域和分布在晶圆芯片区域以外的晶圆边缘区域，晶圆边缘区域上均设有晶圆键合密封结构，且晶圆键合密封结构均包括外围封环、以及外围封环与晶圆芯片区域之间的网格状密封结构，使得晶圆键合密封结构的实际键合面积为对应的晶圆边缘区域面积的10％至50％。该密封结构在解决晶圆密封技术问题的同时，大幅度减小了芯片区域外的实际键合面积，从而在同等键合压力条件下，增大密封结构键合压强，从而提高晶圆键合质量，能够用于整个晶圆的防水密封及真空密封。

公开(公告)号：CN116760313A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310755086.8

申请日：2023-06-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  周碧青 ,  凌必赟 ,  徐巧

IPC: H02N1/00

Abstract: 本发明提供一种微柱‑孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法，采用了微柱‑孔阵列电极驱动结构，充分利用大面积可动功能部件的背面空间，大幅度提高占空比，微柱‑孔阵列驱动结构密度高、数量多，环绕微柱一周均能产生静电力，静电驱动力密度大，特别适合于驱动平板结构上下平动以及扭转角度适中的扭转运动，从而可提高静电驱动器的力密度、减小芯片面积、降低芯片成本，对推动MEMS静电驱动器的发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN116395632A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310293572.2

申请日：2023-03-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  夏彧虎 ,  凌必赟 ,  王潇悦 ,  周碧青

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：在MEMS晶圆上键合临时封装盖板，其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片，临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔；对MEMS晶圆进行划片以得到多个分别包括一封环微结构的MEMS芯片临时封装结构；将MEMS芯片临时封装结构进行芯片封装；移除MEMS芯片临时封装结构中的封环微结构。本发明的MEMS芯片的封装方法中能够避免传统MEMS芯片封装方法中因MEMS芯片密封光窗的设置造成的光束损耗对器件性能造成的不利影响，提高了MEMS芯片的工作性能及稳定性。