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公开(公告)号：CN114807908A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210038157.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/458 , H01Q1/22
Abstract: 本发明提供一种能够调整由等离子体产生的离子的供给量的等离子体处理装置。其具有：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，并能够将基板沿着周向载置；处理气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台供给处理气体；等离子体天线，其位于所述处理室上的、覆盖所述处理气体供给喷嘴的至少局部的位置；以及离子捕捉板，其设于比所述处理气体供给喷嘴靠上方的、所述处理室内的与所述等离子体天线的至少局部重叠的位置。
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公开(公告)号：CN111172515A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911082055.0
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种不对基座造成损伤、利用蚀刻进行清洁的清洁方法和成膜方法。一种清洁方法，其是对设置到成膜装置的处理室内的基座进行干式清洁的清洁方法，其具有如下工序：将保护构件载置于在所述基座设置的基板载置区域的工序；以及在将所述保护构件载置到所述基板载置区域的状态下向所述基座供给清洁气体、利用蚀刻去除在所述基座的表面上堆积的膜的工序。
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公开(公告)号：CN110777357A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910681551.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 加藤寿
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本公开的课题是提供在嵌入的最后阶段不产生接缝的氮化硅膜的成膜方法及成膜装置。本发明的氮化硅膜的成膜方法具备如下工序：在基板的表面形成的凹陷内，通过ALD从底面及侧面慢慢地嵌入氮化硅膜，以使前述凹陷内的中央部的间隙变窄的方式使薄膜从侧面向中央沉积；在连接从前述侧面向中央沉积的前述薄膜之间而即将填补前述中央的间隙之前的阶段中，使前述凹陷内吸附第一氮自由基；在前述凹陷内，使含硅气体物理吸附在前述第一氮自由基上；向前述凹陷内供给第二氮自由基，以使前述含硅气体从前述第一氮自由基脱离、并且使脱离的前述含硅气体与前述第二氮自由基发生反应而填补前述中央的间隙的方式使氮化硅膜沉积。
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公开(公告)号：CN108456870A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810151721.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , C23C16/34 , C23C16/047
Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。
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公开(公告)号：CN103924220B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410019338.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环，而在基板表面上形成薄膜；改性步骤，对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性；以及输出步骤，接着改性步骤，将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域，并将所配置的基板依次输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103184430B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210580129.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C14/00 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45529 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/30 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。
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公开(公告)号：CN103243314B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310042555.8
申请日：2013-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45508 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1处理气体供给部，其用于向第1处理区域供给第1处理气体；第1等离子体处理部，其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理；分离气体供给部，其用于向形成于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域供给分离气体，以便使第1处理区域的气氛气体和第2处理区域的气氛气体分离，第1等离子体处理部包括：第1围绕部分，其用于划分形成用于使等离子体产生的等离子体产生空间，在其下部形成有等离子体的喷出口；第2处理气体供给部，其用于向等离子体产生空间供给第2处理气体；活化部，其用于使等离子体产生空间的第2处理气体活化；第2围绕部分，其设在第1围绕部分的下方。
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公开(公告)号：CN105097459A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250345.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01L21/0228 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102732854B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210084592.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0234
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包含：旋转台，其包含载置基板的基板载置部且被设成能够在真空容器内旋转；第1反应气体供给部，对旋转台的形成有基板载置部的面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1反应气体供给部分离地设置且对旋转台的形成有基板载置部的面供给与第1反应气体反应的第2反应气体；以及，活化气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1和第2反应气体供给部分离地设置，且对旋转台的形成有基板载置部的面，将对第1反应气体与第2反应气体的反应性生成物进行重整的重整气体和进行蚀刻的蚀刻气体活化并供给。
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公开(公告)号：CN104637769A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410635709.9
申请日：2014-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02211 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32568 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。
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