公开(公告)号：CN106716662B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201580049774.6

申请日：2015-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  大秦充敬

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 一实施方式的方法包括如下工序：(a)利用在处理容器内产生的等离子体，对上部磁性层进行蚀刻的工序，使上部磁性层的蚀刻在绝缘层的表面结束；(b)利用在处理容器内产生的等离子体，将由于上部磁性层的蚀刻而在掩模以及上部磁性层的表面形成的堆积物去除的工序；(c)利用在处理容器内产生的等离子体，对绝缘层进行蚀刻的工序。在将堆积物去除的工序中，使保持着被处理体的支承构造体倾斜且旋转，将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

公开(公告)号：CN106067411B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201610248187.6

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

公开(公告)号：CN107210217A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009447.2

申请日：2016-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对磁性层蚀刻的工序，该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中，处理容器内的空间压力设定为1.333Pa以下的压力，静电夹具温度设定为－15度以下的温度，异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。

公开(公告)号：CN104505333B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410614517.X

申请日：2013-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: 具有加热基板并将该基板暴露于氧等离子体中的工序和循环处理工序，在该循环处理工序中，将基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中，并且重复如下两个阶段：将混合气体的全压设为第1全压或将醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段，以及将混合气体的全压设为比第1全压低的第2全压或将醇类气体的分压设为比醇类气体的第1分压低的醇类气体的第2分压的第2阶段，在循环处理工序中，从与基板相对的区域向基板供给混合气体，并且来自包含基板的中央部的第1区域的混合气体的单位面积的供给量比来自第1区域的外侧的第2区域的混合气体的单位面积的供给量多。

公开(公告)号：CN106067411A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610248187.6

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31116 ,  H01J37/32 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

公开(公告)号：CN102593045B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110462711.7

申请日：2011-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/76805

Abstract: 本发明提供一种不使用卤素气体就能够提高铜部件的蚀刻率的基板处理方法。在基板处理装置(10)中，在得到了具有被平滑化的表面(50)的Cu层(40)后，将在氢气中添加了甲烷气体的处理气体导入处理室(15)的内部空间，从该处理气体生成等离子体，使在氧化层(42)的蚀刻时生成的氧游离基(52)和从甲烷生成的碳游离基(53)存在于处理室(15)的内部空间，从氧游离基(52)和碳游离基(53)生成有机酸，使该有机酸与Cu层(40)的铜原子反应，而生成含有铜原子的有机酸的络合物，进而使该生成的该络合物蒸发。

公开(公告)号：CN104350584A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380021625.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  清水昭贵 ,  山下扶美子 ,  浦山大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。

公开(公告)号：CN101661228B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200910168595.0

申请日：2009-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 曾根隆 ,  西村荣一

IPC: G03F7/36 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明涉及基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法用于处理基板(W)，基板(W)依次层叠有SiN层(51)、反射防止膜(52)和光致抗蚀剂膜(53)，光致抗蚀剂膜(53)具有使反射防止膜(52)的一部分露出的开口部(54)，该方法具有收缩蚀刻步骤，该收缩蚀刻步骤为，通过由用通式CxHyFz(x、y、z是正整数)表示的沉积性气体例如CH3F气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体使沉积物堆积在光致抗蚀剂膜(53)的开口部(54)的侧壁面，使开口部的开口宽度缩小，并蚀刻反射防止膜(52)，在反射防止膜(52)形成与缩小后的开口部(54)对应的开口部。

公开(公告)号：CN103209757A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054593.4

申请日：2011-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  片冈宪一 ,  先崎滋 ,  岛贯洋一 ,  狩野和彦 ,  和村有 ,  康松润 ,  西村荣一

IPC: B01D71/02 ,  B01D63/00

CPC classification number: B01D67/0023 ,  B01D61/025 ,  B01D67/0034 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/10 ,  B01D71/022 ,  B01D71/024 ,  B01D2323/225 ,  B01D2323/24 ,  B01D2323/283 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/08 ,  B01D2325/48 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2的内表面上，调整因氧化硅膜3而缩小的圆孔2的开口部附近的最小直径部4中的直径D1至1nm～100nm。

公开(公告)号：CN102112651B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980130664.7

申请日：2009-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  西村荣一

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/318 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/347 ,  C23C16/5096 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。