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公开(公告)号：CN119517737A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411509691.8
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本申请实施例提供了一种碳基半导体薄膜材料的制备方法，首先通过键合经过离子注入的半导体和具有介质层的硅基衬底，得到硅基半导体材料，通过在硅基衬底上制备用于介质层释放的通孔，为介质层释放提供来自于支撑衬底的通孔，解决了现有技术中介质层释放需要通过将半导体薄膜图案化来提供通道的问题，突破了转印半导体薄膜的尺寸限制，进而实现大面积半导体异质集成材料的制备。此外，通过转印这种范德华集成方法制备的异质材料在界面处几乎没有非晶过渡区域，对于组成材料的种类没有限制，不受晶格失配、热失配等物理因素影响。
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公开(公告)号：CN119254175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299344.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。
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公开(公告)号：CN114530758B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210063059.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开一种激光器结构的制备方法及其结构，包括对第一衬底结构进行刻蚀处理，得到待制备绝缘结构的待生长区域，对绝缘结构进行刻蚀处理，得到波导结构，波导结构与第三衬底层连接设置，波导结构与第一衬底层间隔设置，且与第二衬底层间隔设置，对第二衬底结构进行离子注入，使得在第二衬底结构内形成缺陷层，键合第一衬底结构和第二衬底结构得到异质衬底结构，在异质衬底结构上制备外延结构和激光器脊条结构，得到激光器结构，激光器脊条结构在异质衬底结构的位置与波导结构在异质衬底结构的位置对应重合。本申请可以提高后续制备的激光器结构的热导率，改善激光器结构的性能以及提高激光器结构的寿命。
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公开(公告)号：CN113284839B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110557868.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
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公开(公告)号：CN116705605B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310736872.3
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113708739B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
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公开(公告)号：CN113328723B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN117950242A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058164.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种光学频率梳产生装置、光学系统及光电设备。光学频率梳产生装置包括：泵浦光源和集成光子芯片；泵浦光源用于产生泵浦光；集成光子芯片包括钽酸锂器件层；钽酸锂器件层中形成有耦合波导和环形谐振腔；耦合波导靠近环形谐振腔设置；耦合波导用于将泵浦光源产生的泵浦光耦合进环形谐振腔，以使环形谐振腔产生光学频率梳。通过采用在钽酸锂器件层中形成环形谐振腔，由于钽酸锂具有较小的双折射效应，可以有效地减弱横向模场和纵向模场的兼并，即其腔内模场间不会产生干扰，使其能够同时满足环形谐振腔中模式交叉的消除以及平面内高电光效应的保持，从而实现高速可调谐、大转换效率片上光学频率梳。
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公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
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公开(公告)号：CN117637476A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311746500.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。
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