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公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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公开(公告)号：CN113708739B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
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公开(公告)号：CN113328723B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
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公开(公告)号：CN114465594B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115001438A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN114362705A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111466618.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供单晶压电层；对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层；在缓冲层的目标注入区域注入离子，以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成改性压电层；对缓冲层进行去膜处理，以去除缓冲层；在改性压电层的上表面形成图案化电极，得到声波谐振器。本申请通过对单晶压电层进行离子注入，在单晶压电层的高度方向上形成了材料性质不同的改性压电层，利用改性压电层不同的改性压电材料特性，提高了声波谐振器的工作频率和品质因数，并且降低了声波谐振器的器件损耗。
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公开(公告)号：CN113676150A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN113630101A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110944319.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
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公开(公告)号：CN114362710B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
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