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公开(公告)号：CN114124021A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437446.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种弹性波谐振器及多通带滤波器，弹性波谐振器包括衬底、第一电极层、压电薄膜和第二电极层。其中，压电薄膜包括多个刻蚀区域和多个非刻蚀区域，刻蚀区域的深度与压电薄膜厚度的比值在区间[0.4,1)内，相邻两个刻蚀区域间的中心间距与压电薄膜厚度的比值在区间[0.4,1.25]内，第一电极层设置在衬底上，压电薄膜设置在第一电极层上，第二电极层设置在压电薄膜上，并以第二层电极为掩膜版对压电薄膜进行部分刻蚀。谐振器在较大的频率区间内可以获得多个无杂散模式、大机电耦合系数的谐振。基于本申请实施例通过调整压电薄膜的刻蚀尺寸和刻蚀深度，可以改变谐振频率和机电耦合系数，可搭建多通带滤波器。
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公开(公告)号：CN113676150A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN119496478A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411402796.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波器件，包括：衬底；第一压电薄膜，设在所述衬底上；第二压电薄膜，设在所述第一压电薄膜上；第一换能器电极，设在所述第二压电薄膜上；第二换能器电极，设在所述第二压电薄膜上并与所述第一换能器电极的位置相对应；所述第一压电薄膜和所述第二压电薄膜的晶体取向不同，以使目标声学模式下所述声表面波器件的机电耦合系数和能流角最优。本发明的声表面波器件能够同时满足较大的带宽与较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN115296636B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN118017963A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410104774.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬空型的兰姆波器件，通过使用非极化a面氮化铝(AlN的C轴位于器件平面)，基于声表面波的电极结构激发S0模式即可达到与传统FBAR结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于AlN的高声速能够形成高频器件。并通过在悬空的AlN两侧沉积介质层，可以有效抑制其他的杂散模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115664370A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211243754.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及器件制备技术领域，提供了一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路，多传输零点的板波滤波器包括依次级联的并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器中存在至少两个谐振器的板波模式的面内传输方向不同，串联谐振器的反谐振点与并联谐振器的谐振点构成多个零点位置；面内传输方向为谐振器中叉指电极的法线方向；谐振器自上而下依次包括电极组件、压电薄膜和支撑衬底；压电薄膜与支撑衬底之间具有用于将谐振器的板波模式的能量约束在板波滤波器内的悬空结构，并联谐振器和串联谐振器所激发的声波模式均相同。通过设置不同面内传输方向的谐振器，可以大幅度调整谐振器的机电耦合系数，进而更灵活地实现多传输零点的板波滤波器。
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公开(公告)号：CN115296636A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN113676152A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN116599481B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119254176A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299391.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。
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