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发明公开
一种声表面波器件审中-实审

公开(公告)号：CN119496478A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411402796.3

申请日：2024-10-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 , 郭新雨 , 张师斌 , 郑鹏程 , 房晓丽

IPC: H03H9/02 , H03H9/145 , H03H9/25 , H03H9/44

Abstract: 本发明涉及一种声表面波器件，包括：衬底；第一压电薄膜，设在所述衬底上；第二压电薄膜，设在所述第一压电薄膜上；第一换能器电极，设在所述第二压电薄膜上；第二换能器电极，设在所述第二压电薄膜上并与所述第一换能器电极的位置相对应；所述第一压电薄膜和所述第二压电薄膜的晶体取向不同，以使目标声学模式下所述声表面波器件的机电耦合系数和能流角最优。本发明的声表面波器件能够同时满足较大的带宽与较低的插入损耗。

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