公开(公告)号：CN101479403A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780021473.8

申请日：2007-04-13

Applicant: 硅石技术责任有限公司 ,  吴道

Inventor： 吴道 ,  M·A·阿斯拉米

IPC: C23C16/507 ,  C23C16/54 ,  H01L31/20

Abstract: 一种用于制作太阳能电池的等离子沉积设备包括：具有用于支撑至少一个衬底的纵轴线的输送机；至少两个模块，每个模块具有用于在至少一个衬底上沉积反应产物层的至少一个等离子炬，至少一个等离子炬位于离至少一个衬底一段距离的位置；用于容纳输送机和该至少两个模块的室；以及排气系统。在另一实施例中，用于制作太阳能电池的等离子沉积设备包括：用于支撑衬底的部件；用于供应反应物的部件；用于在衬底上沉积产物的等离子炬部件，等离子炬部件位于离衬底一段距离的位置；以及用于相对于衬底振荡等离子炬部件的部件。

公开(公告)号：CN101006198A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027570.9

申请日：2005-08-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史蒂夫·沃尔瑟 ,  桑德普·梅塔 ,  诺萨德·瓦里姆 ,  尤克扬·杰奥格

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/507 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  G21K5/10 ,  H01J37/08

CPC classification number: C03C23/0055 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/0071 ,  C03C15/00 ,  C03C23/002 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明包括一种方法和一种设备，可以在离子注入室或与离子注入室相连的隔离室内，在离子注入之前去除晶片表面上的污染物和氧化表层。用于去除污染物的手段包括组合或单独地进行低能量等离子刻蚀、加热晶片、以及应用紫外线照射。其结果是，可以在清洗/准备步骤之后立即进行注入，而没有将晶片的晶片表面暴露在外部环境下而受到污染物的潜在危险。该准备过程可以去除诸如水蒸气、有机物和表面氧化物等表面污染物。

公开(公告)号：CN118127490A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410225642.5

申请日：2024-02-28

Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司

Inventor： 李继刚 ,  周纬 ,  朱顺利 ,  张俊

IPC: C23C16/507 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种通气面板及薄膜沉积腔体，通气面板包括：导流板，导流板具有进气孔以及与进气孔相连通的气体导流通道，进气孔用于连通提供气体的进气管；出气机构，出气机构具有出气面以及多个出气孔，出气孔与气体导流通道相连通且贯穿出气面，出气面包括中心区以及环绕中心区的边缘区；加热机构，加热机构用于对出气面进行加热，以使边缘区的温度高于中心区的温度。本公开实施例至少可以提高在晶圆上制备目标薄膜的可靠性并减小成本。

公开(公告)号：CN117916405A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059957.6

申请日：2022-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·P·赫里马斯 ,  哈尼什·库马尔·帕嫐瓦雷皮力·库马尔安库提 ,  K·奈纳·尚穆甘 ,  马杜卡尔·克里什纳 ,  斯里哈尔沙·达尔马普拉·撒斯亚纳拉亚纳姆西 ,  斯里哈里什·斯里尼瓦桑

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/507

Abstract: 本文提供了用于处理腔室的加热式盖件的实施例。在一些实施例中，加热式盖件包括：具有中心区域及周边区域的主体，其中主体包括中心区域中的中心开口，其中周边区域包括延伸进主体上表面并沿圆形布置以提供热隔断的多个垂直狭槽，且其中主体包括延伸进主体上表面的一或多个环形气室，及穿过一或多个环形气室的底表面延伸至主体下表面的多个孔；第一加热器环，具有安置在其中的一或多个加热组件，其中第一加热器环耦接到主体的中心区域；及第二加热器环，具有安置在其中的一或多个加热组件。

公开(公告)号：CN117144339A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311153445.9

申请日：2023-09-07

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 秦海丰 ,  史小平 ,  兰云峰 ,  王勇飞 ,  纪红 ,  赵雷超 ,  张文强

IPC: C23C16/507 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法及设备，该方法包括以下步骤：S1，通过第一气道向缓冲腔中通入载气及其携带的第一前驱体，同时通过第二气道向缓冲腔中至少通入稀释气体；第一气道和第二气道均设置于缓冲腔的侧壁中，且出气口彼此相对；载气及其携带的第一前驱体的流量之和与第二气道通入气体的流量相同；S2，停止向缓冲腔内通入第一前驱体，保持载气的通入，并通过缓冲腔的第三气道向缓冲腔中通入吹扫气体，同时通过第二气道向缓冲腔中通入稀释气体和第二前驱体；S3，向反应腔中加载射频功率；S4，停止向反应腔中加载射频功率。本方案可以避免出现第一前驱体吸附数量的偏单边现象，从而可以提高薄膜厚度分布均匀性。

公开(公告)号：CN115747765A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210817186.4

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李信昌

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。网格包括从网格的第一侧延伸到网格的第二侧的多个孔。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。

公开(公告)号：CN114127892A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080049346.4

申请日：2020-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 元泰景 ,  崔寿永 ,  任东吉 ,  吴宗凯 ,  李永东 ,  赵来 ,  王致远 ,  桑杰·D·亚达夫 ,  朴正宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种用于形成非晶含硅层或微晶含硅层的工艺，包括：将基板引入基板处理腔室的处理区域，所述基板在基板支撑件上；使处理气体流入所述基板处理腔室内的一个或多个气体容积中，所述处理气体包括含硅气体；在等离子体条件下从所述处理气体形成激励的处理气体，所述等离子体条件包括至少约1.0×1011个离子/cm3的等离子体密度；使所述激励的处理气体流入所述处理区域中；在所述基板上沉积非晶含硅层或微晶含硅层，同时将所述基板支撑件维持在约350℃或更低的温度下，所述非晶含硅层或微晶含硅层具有约2.5×1021个原子/cc或更低的氢量。还描述了TFT结构和用于形成TFT结构的工艺。

公开(公告)号：CN113451100A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110597509.9

申请日：2018-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤智

IPC: H01J37/32 ,  H01J27/16 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/517 ,  C23C16/507 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给源(44)向腔室(11)的空间内供给处理气体。天线(54)具有卷绕两圈以上的线路(540)，通过由在线路(540)中流动的电流在腔室(11)的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部(55)保持天线(54)的线路(540)。另外，保持部(55)以与相邻的其它保持部(55)之间形成规定距离以上的间隙的方式配置于天线(54)的线路(540)。

公开(公告)号：CN111349910A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010186547.0

申请日：2020-03-17

Applicant: 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司

Inventor： 邓必龙 ,  郑利勇

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明属于镀膜技术领域，具体公开了一种工件架及镀膜系统。工件架包括：框架、前挡板、两个侧板、射频电极板和接地电极板，两个侧板和前挡板合围形成开口背向前挡板的容纳腔，侧板上的通孔与容纳腔连通；各电极板均设置于容纳腔内，且沿框架的高度方向间隔交替连接在框架上。镀膜系统包括反应室，反应室内设置有上述工件架，工件架通过共用电极板可拆卸连接在反应室内。本发明提供的工件架及镀膜系统，电场均匀性提高，不需要通过附加装置便能提高镀膜均匀性和镀膜效率，降低镀膜成本。

公开(公告)号：CN105873763B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480070669.6

申请日：2014-12-11

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山下恭弘 ,  伊藤丰 ,  中岛秀明

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/16 ,  C23C16/42 ,  C23C16/507 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/507 ,  C23C16/545 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04

Abstract: 一种层叠膜，其具有挠性基材和形成在上述基材的至少一个表面上的至少1层薄膜层，其中，上述薄膜层中，至少1层满足全部下述条件(i)和(ii)：(i)含有硅原子(Si)、氧原子(O)和氮原子(N)；(ii)对薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比满足由下述式(1)：0