用于制作合成二氧化硅的等离子喷灯

    公开(公告)号:CN101389573A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200680053498.1

    申请日:2006-12-28

    CPC classification number: C03B37/01426 C03B2207/81 H05H1/30 H05H1/42 Y02P40/57

    Abstract: 用于制作合成二氧化硅的等离子喷灯(40)包括使用来自外部石英管(53)的氮气屏蔽气体来提供主动环境隔离。此外,本发明电感等离子喷灯(40)包括环盘(66、70)来实现更紧凑但是更完整的环境保护(360度覆盖)。它还包括偏离并交换化学物质喷嘴(68)的位置,以便在水平模式中工作时能够实现两个方向上的改进的沉积。而且,本发明电感等离子喷灯(40)保持喷射的化学物质的层流,中间石英管(154)设有凹形部分(157),以用于增加等离子喷流的平均热含量,从而提高等离子喷灯的效率。此外,它还可以利用更多的等离子气体进口(76)。它还包括具有向下角度倾斜的化学物质喷嘴(68)。

    用于制造多晶硅的等离子体沉积装置和方法

    公开(公告)号:CN101512042B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN200780033206.2

    申请日:2007-03-06

    CPC classification number: C23C16/24 C23C16/513 H05H1/30

    Abstract: 用于制造多晶硅的等离子体沉积装置(100),包括用于沉积所述多晶硅的室,该室具有用于回收未沉积气体的排放系统;位于沉积室内的用于支承具有沉积表面(106)的靶基底(104)的载体(103),该沉积表面划定了沉积区(105);位于沉积室内并与该载体(103)隔开的至少一个电感耦合等离子体炬(107),该至少一个电感耦合等离子体炬(102)产生基本垂直于沉积表面(106)的等离子体火焰,该等离子体火焰划定了用于使至少一种前体气体源反应产生多晶硅的反应区(126),从而在沉积表面(106)上沉积多晶硅层。

    用于制作合成二氧化硅的等离子喷灯

    公开(公告)号:CN101389573B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200680053498.1

    申请日:2006-12-28

    CPC classification number: C03B37/01426 C03B2207/81 H05H1/30 H05H1/42 Y02P40/57

    Abstract: 用于制作合成二氧化硅的等离子喷灯(40)包括使用来自外部石英管(53)的氮气屏蔽气体来提供主动环境隔离。此外,本发明电感等离子喷灯(40)包括环盘(66、70)来实现更紧凑但是更完整的环境保护(360度覆盖)。它还包括偏离并交换化学物质喷嘴(68)的位置,以便在水平模式中工作时能够实现两个方向上的改进的沉积。而且,本发明电感等离子喷灯(40)保持喷射的化学物质的层流,中间石英管(154)设有凹形部分(157),以用于增加等离子喷流的平均热含量,从而提高等离子喷灯的效率。此外,它还可以利用更多的等离子气体进口(76)。它还包括具有向下角度倾斜的化学物质喷嘴(68)。

    制备光纤预制棒的环形等离子体射流法和装置

    公开(公告)号:CN101679102A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200780051789.1

    申请日:2007-12-07

    CPC classification number: C03B37/01884 C03B37/0183 H05H1/30

    Abstract: 用于制备光纤预制棒的方法和装置,所述方法包括将等离子气体源注入管状元件的第一末端内;通过等离子气体源流过等离子气体进料器喷嘴产生环形等离子火焰,所述等离子气体进料器喷嘴包括:内管和外管,其中所述等离子气体源注入内管和外管之间,以产生环形等离子火焰,以便至少一部分环形等离子火焰辐射状朝向管状元件的内表面;相对于等离子火焰沿纵轴穿越管状元件;通过将化学试剂引入等离子火焰中,将至少一个灰层沉积在管状元件的内表面上;并将所有的灰层在管状元件内表面上熔合成玻璃材料。

    用于制造多晶硅的等离子体沉积装置和方法

    公开(公告)号:CN101512042A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200780033206.2

    申请日:2007-03-06

    CPC classification number: C23C16/24 C23C16/513 H05H1/30

    Abstract: 用于制造多晶硅的等离子体沉积装置(100),包括用于沉积所述多晶硅的室,该室具有用于回收未沉积气体的排放系统;位于沉积室内的用于支承具有沉积表面(106)的靶基底(104)的载体(103),该沉积表面划定了沉积区(105);位于沉积室内并与该载体(103)隔开的至少一个电感耦合等离子体炬(107),该至少一个电感耦合等离子体炬(102)产生基本垂直于沉积表面(106)的等离子体火焰,该等离子体火焰划定了用于使至少一种前体气体源反应产生多晶硅的反应区(126),从而在沉积表面(106)上沉积多晶硅层。

    用于制作太阳能电池的等离子沉积设备和方法

    公开(公告)号:CN101479403A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200780021473.8

    申请日:2007-04-13

    Abstract: 一种用于制作太阳能电池的等离子沉积设备包括:具有用于支撑至少一个衬底的纵轴线的输送机;至少两个模块,每个模块具有用于在至少一个衬底上沉积反应产物层的至少一个等离子炬,至少一个等离子炬位于离至少一个衬底一段距离的位置;用于容纳输送机和该至少两个模块的室;以及排气系统。在另一实施例中,用于制作太阳能电池的等离子沉积设备包括:用于支撑衬底的部件;用于供应反应物的部件;用于在衬底上沉积产物的等离子炬部件,等离子炬部件位于离衬底一段距离的位置;以及用于相对于衬底振荡等离子炬部件的部件。

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