公开(公告)号：CN114127892A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080049346.4

申请日：2020-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 元泰景 ,  崔寿永 ,  任东吉 ,  吴宗凯 ,  李永东 ,  赵来 ,  王致远 ,  桑杰·D·亚达夫 ,  朴正宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种用于形成非晶含硅层或微晶含硅层的工艺，包括：将基板引入基板处理腔室的处理区域，所述基板在基板支撑件上；使处理气体流入所述基板处理腔室内的一个或多个气体容积中，所述处理气体包括含硅气体；在等离子体条件下从所述处理气体形成激励的处理气体，所述等离子体条件包括至少约1.0×1011个离子/cm3的等离子体密度；使所述激励的处理气体流入所述处理区域中；在所述基板上沉积非晶含硅层或微晶含硅层，同时将所述基板支撑件维持在约350℃或更低的温度下，所述非晶含硅层或微晶含硅层具有约2.5×1021个原子/cc或更低的氢量。还描述了TFT结构和用于形成TFT结构的工艺。