-
公开(公告)号：CN119736580A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411781937.7
申请日：2024-12-05
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C14/22 , C23C14/54 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请实施例涉及半导体技术领域，提供一种沉积设备，至少可以提高沉积设备的可靠性。沉积设备包括：设置有载台的腔体，多个移动机构设置于载台上，两个移动机构沿第一方向相对设置，两个移动机构沿第二方向相对设置，多个移动机构围成用于放置晶圆的放置区，每一移动机构可沿放置区的中心向四周扩散的方向往复移动；每一移动机构的顶面至少设置有一个光电传感器，光电传感器用于获取晶圆在放置区中的状态；控制器与光电传感器以及移动机构连接，若控制器通过光电传感器获取到晶圆搭接在对应的移动机构上，则控制移动机构向远离放置区的中心方向移动，直至光电传感器获取不到晶圆搭接在所对应的移动机构上后，控制移动机构向靠近放置区的中心方向移动。
-
公开(公告)号：CN118127490B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410225642.5
申请日：2024-02-28
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C16/507 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种通气面板及薄膜沉积腔体，通气面板包括：导流板，导流板具有进气孔以及与进气孔相连通的气体导流通道，进气孔用于连通提供气体的进气管；出气机构，出气机构具有出气面以及多个出气孔，出气孔与气体导流通道相连通且贯穿出气面，出气面包括中心区以及环绕中心区的边缘区；加热机构，加热机构用于对出气面进行加热，以使边缘区的温度高于中心区的温度。本公开实施例至少可以提高在晶圆上制备目标薄膜的可靠性并减小成本。
-
公开(公告)号：CN119008512A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411500631.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种真空晶圆加热器升降机构，包括：腔体；基座设置于所述腔体内；底座设置于所述腔体下方，所述底座与所述基座的支撑轴连接；调平装置设置于所述腔体与底座之间；连接组件连接所述底座和调平装置；调平装置包括调平板、竖杆、第一竖向调节件和第二竖向调节件；竖杆的上端与腔体的下壁连接，竖杆的下端与所述调平板的第一端转动连接，第一竖向调节件和第二竖向调节件设置于所述调平板的第二端，用于分别调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。本发明的调平装置采用三点定位，在一侧调节，方便人手操作，调节简单。
-
公开(公告)号：CN118957546A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411362113.6
申请日：2024-09-27
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01J37/32
Abstract: 本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种反应腔体结构及沉积设备，反应腔体结构包括反应腔本体，反应腔本体内包括反应腔以及与反应腔在竖直方向上相连通的容纳腔，且反应腔位于容纳腔的上方，反应腔体结构还包括进气机构、抽气口、载台、固化机构和控制器，固化机构设置于容纳腔内，且在反应腔内可沿竖直方向上下移动，固化机构用于为膜层提供固化能量，以将膜层转换为目标材料层；控制器用于控制固化机构在竖直方向移动，以使在沉积膜层期间固化机构位于容纳腔内，且在沉积膜层后控制固化机构在竖直方向移动至反应腔内，并控制固化机构为膜层提供固化能量。本公开实施例至少可以提高制备目标材料层的效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN117467984B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311488854.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置及沉积方法。根据本发明实施例的薄膜沉积装置包括：反应腔，具有进气口和出气口；电极板，设置在反应腔内；以及基座，设置在反应腔内，具有用于承载晶圆的承载表面，承载表面与电极板相对设置；其中，电极板的第一端、基座的第一端与进气口相邻设置，电极板的第二端、基座的第二端与出气口相邻设置，以使气体由进气口经电极板与基座之间的气流通道流出至出气口；电极板的第一端与基座的第一端之间的距离为第一距离；电极板的第二端与基座的第二端之间的距离为第二距离，且第一距离小于第二距离。根据本发明实施例的薄膜沉积装置及沉积方法，能够沉积得到均匀性更好的薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117512565B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311414014.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种薄膜沉积腔体及其进气机构。进气机构包括：进气组件，进气组件设置在薄膜沉积腔体的腔室顶部，进气组件内具有进气通道，进气通道用于连通提供气体的进气管；固定机构以及风刀出气组件，风刀出气组件通过固定机构与进气组件相固定；风刀出气组件包括绕进气通道的周向间隔设置的至少两个风刀，风刀内形成有气体通路，且气体通路的进气端与进气通道连通，风刀的出气面具有间隔设置的多个出气口，出气口与气体通路的出气端连通；驱动电机，驱动电机用于驱动风刀出气组件旋转。本公开实施例至少可以提高沉积薄膜的效率、薄膜的均匀度以及薄膜沉积腔体内的气体抽速。
-
公开(公告)号：CN117524922A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311398266.1
申请日：2023-10-25
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种薄膜沉积机台及半导体制程方法，薄膜沉积机台包括：传输腔室、沉积模组和控制系统。传输机构用于传输至少两个晶圆，其中一晶圆为第一晶圆，另一晶圆为第二晶圆；沉积模组至少包括相互独立的第一腔室和第二腔室，第一腔室用于执行第一沉积工艺以形成第一膜层，第二腔室用于执行第二沉积工艺以形成第二膜层；控制系统用于执行第一取放步骤和第二取放步骤以及沉积步骤，以在第一晶圆和第二晶圆上均交替沉积第一膜层和第二膜层。
-
公开(公告)号：CN119220954A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411745327.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种腔体结构及沉积设备，腔体结构包括：腔体结构包括：第一腔体、第二腔体以及位于第一腔体以及第二腔体之间的连通通道；出气通道，出气通道与连通通道相连通；出气调控机构，至少部分出气调控机构位于出气通道以及连通通道内，出气调控机构用于将连通通道与出气通道相连通的部分分隔为第一排气孔以及第二排气孔，第一排气孔与第一腔体相连通，第二排气孔与第二腔体相连通；其中，出气调控机构的位置可调，以使第一排气孔的开度可调，并使第二排气孔的开度可调。本公开实施例至少可以减小腔体结构中两腔体内制备的薄膜的膜厚和膜质的差异。
-
公开(公告)号：CN118571810B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411054454.7
申请日：2024-08-02
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 本申请实施例涉及半导体设备领域，提供一种进气机构及薄膜沉积腔体。进气机构包括：进气口；具有空腔的气体分配结构，进气口与空腔连通；位于空腔内且沿竖直方向排布的第一分配板以及第二分配板；其中，第一分配板与第二分配板中的一者为缓冲板，缓冲板适于提高经由缓冲板扩散至第一子腔室的气体的分布样式，且还适于改变经由缓冲板传输至第一子腔室的气体流速；第一分配板与第二分配板中的另一者为调节板，调节板包括第一区和第二区，第二区位于调节板的边缘，调节板适于，使得在单位时间内，经由第一区传输至第二子腔室的气体压力大于经由第二区传输至第二子腔室的气体压力。
-
公开(公告)号：CN117524922B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311398266.1
申请日：2023-10-25
Applicant: 江苏首芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种薄膜沉积机台及半导体制程方法，薄膜沉积机台包括：传输腔室、沉积模组和控制系统。传输机构用于传输至少两个晶圆，其中一晶圆为第一晶圆，另一晶圆为第二晶圆；沉积模组至少包括相互独立的第一腔室和第二腔室，第一腔室用于执行第一沉积工艺以形成第一膜层，第二腔室用于执行第二沉积工艺以形成第二膜层；控制系统用于执行第一取放步骤和第二取放步骤以及沉积步骤，以在第一晶圆和第二晶圆上均交替沉积第一膜层和第二膜层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.045 seconds)
