公开(公告)号：CN101006198A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027570.9

申请日：2005-08-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史蒂夫·沃尔瑟 ,  桑德普·梅塔 ,  诺萨德·瓦里姆 ,  尤克扬·杰奥格

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/507 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  G21K5/10 ,  H01J37/08

CPC classification number: C03C23/0055 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/0071 ,  C03C15/00 ,  C03C23/002 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明包括一种方法和一种设备，可以在离子注入室或与离子注入室相连的隔离室内，在离子注入之前去除晶片表面上的污染物和氧化表层。用于去除污染物的手段包括组合或单独地进行低能量等离子刻蚀、加热晶片、以及应用紫外线照射。其结果是，可以在清洗/准备步骤之后立即进行注入，而没有将晶片的晶片表面暴露在外部环境下而受到污染物的潜在危险。该准备过程可以去除诸如水蒸气、有机物和表面氧化物等表面污染物。