-
公开(公告)号：CN102243445A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110112084.4
申请日：2011-04-26
申请人： ASML控股股份有限公司
CPC分类号： G03F7/7015 , G01N21/94 , G02B13/04 , G02B13/18 , G03F1/84 , G03F7/7085 , G03F7/70908
摘要： 本发明披露了一种光学系统、检查系统和制造方法，其中使用广角光学系统提供用于检查的系统和方法。光学系统包括广角输入透镜组和输出透镜组。广角输入透镜组配置成接收例如具有60度或更大角展度的来自物体表面的展角辐射并形成可成像辐射。广角输入透镜组被布置成使得在广角输入透镜组内或之后不形成中间聚焦图像。输出透镜组被配置成接收来自广角输入透镜组的可成像辐射并将可成像辐射聚焦到像平面上以成像物体表面的至少一部分。检测器接收物体表面的至少一部分的图像，并基于所接收的图像以检测例如物体表面上的污染物。
-
公开(公告)号：CN102119365A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131196.5
申请日：2009-07-30
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70883 , G03F7/70908 , G03F7/70983 , H05G2/003
摘要： 一种光刻设备(1)，包括：辐射源(SO)，被配置成产生极紫外辐射，所述辐射源(SO)包括：腔(210)，在所述腔中产生等离子体(225)；收集器反射镜(270)，被配置以反射由所述等离子体(225)发射的辐射；和碎片减缓系统(230)，所述碎片减缓系统(230)包括：气体供给系统(235)，被配置以朝向所述等离子体供给第一气流(240)，所述第一气流(240)被选择以将由所述等离子体(225)产生的碎片热能化；和多个气体岐管(247)，被布置在靠近所述收集器反射镜(270)的位置处，所述气体岐管被配置成将第二气流(250)供给到所述腔(210)内，所述第二气流(250)被朝向所述等离子体(225)引导，以防止被热能化的碎片沉积到所述收集器反射镜(270)上。
-
公开(公告)号：CN102086937A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010568677.7
申请日：2010-11-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·马奎因
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70741 , G03F7/7075 , G03F7/70808 , G03F7/70908 , H01L21/67742
摘要： 本发明公开了一种光刻设备和用于光刻设备的密封装置。所述光刻设备包括一设备，所述设备包括：第一体；第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动；密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间通过所述第一体、所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离所述第一体一距离处；流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体流，用于在所述第一空间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体和第二体之间的移动；和控制器，该控制器被配置以在所述第一体和所述第二体彼此相对移动期间控制所述距离。
-
公开(公告)号：CN102084299A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126024.9
申请日：2009-07-13
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70033 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G03F7/70908 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： 一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。
-
公开(公告)号：CN101849211A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114854.5
申请日：2008-11-06
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： H·G·希梅尔 , T·A·R·范埃姆皮尔 , G·H·P·M·斯温凯尔斯 , M·A·M·哈斯特 , D·拉拜特斯基 , J·M·弗瑞里克斯 , Y·J·G·范德维基沃尔 , W·J·M·沃尔斯蒂哥 , P·G·约克尔斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70841 , G03F7/70908
摘要： 本发明涉及一种用于确定抑制系统的抑制因子的方法。所述抑制系统布置用以抑制污染物气体迁移出第一系统。所述抑制因子指示所述抑制系统的性能。所述方法包括：引入示踪气体到所述第一系统中；提供检测系统，其配置用以检测已经迁移出所述第一系统的示踪气体的量；确定所述抑制系统对所述示踪气体的第一抑制因子。所述方法还包括基于所述第一抑制因子确定所述抑制系统对所述污染物气体的第二抑制因子。
-
公开(公告)号：CN101802716A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107275.8
申请日：2008-09-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·G·范德维杰威 , T·A·R·范因佩尔 , J·B·P·范斯库特 , G·H·P·M·斯温克尔斯 , H·G·诗密尔 , D·莱伯斯克依
CPC分类号： G03F7/70033 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , G03F7/70933 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： 公开了一种光刻设备，该光刻设备被布置以将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述光刻设备包括照射系统(IL)和出口，该出口连接至抽吸系统(78)，抽吸系统(78)用于从照射系统(IL)的内壁(64)和外壁(62)之间抽出气体，或如果存在辐射源(SO)，则抽吸系统(78)用于从照射系统(IL)的内壁(64)和辐射源(SO)的内壁(62)之间抽出气体。
-
公开(公告)号：CN1650401B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN03809635.8
申请日：2003-04-09
申请人： 株式会社尼康
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/707 , G03F7/70733 , G03F7/70775 , G03F7/70808 , G03F7/70866 , G03F7/70908
摘要： 在本发明的实施例中，将衬底W作为隔壁的一部分、用透过能量光束IL的透过性气体充满投影光学系统PL的射出端侧，而且在移动或交换衬底时，为了维持投影光学系统PL的射出端侧的气体状态，将物体70设置在投影光学系统PL的射出端侧来取代衬底W。由此，可以从投影光学系统的射出端侧适当地排除吸光物质，在移动或交换衬底时也能够维持该状态。
-
公开(公告)号：CN101523293A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037966.0
申请日：2007-09-25
申请人： ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡斯SMT股份公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , J·P·H·德卡斯特尔 , J·H·J·莫尔斯 , L·H·J·斯蒂文斯 , B·T·沃尔斯克里基恩 , Y·V·塞德尔尼科 , M·H·L·范德威尔登 , W·A·索尔 , K·杰里森 , T·斯蒂恩
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/7085 , G03F7/70908 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开一种光刻设备，其构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表面，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的下游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。
-
公开(公告)号：CN101520611A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910133537.4
申请日：2005-04-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·Y·科勒斯恩臣科 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多纳斯 , C·A·胡根达姆 , H·詹森 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , F·G·P·皮特斯 , B·斯特里科克 , F·J·H·M·特尤尼斯森 , H·范桑坦
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , G03F7/70908
摘要： 本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的阻挡构件。该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。
-
公开(公告)号：CN100495214C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510064163.7
申请日：2005-04-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·Y·科勒斯恩臣科 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多纳斯 , C·A·胡根达姆 , H·詹森 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , F·G·P·皮特斯 , B·斯特里科克 , F·J·H·M·特尤尼斯森 , H·范桑坦
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , G03F7/70908
摘要： 本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的隔板。该隔板环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
74 条记录 (耗时 0.016 秒)
