发明公开
- 专利标题: 辐射源、光刻设备和器件制造方法
- 专利标题(英): Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
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申请号: CN200980131196.5申请日: 2009-07-30
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公开(公告)号: CN102119365A公开(公告)日: 2011-07-06
- 发明人: V·Y·巴尼内 , E·R·鲁普斯特拉 , J·H·J·莫尔斯
- 申请人: ASML荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰维德霍温
- 专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰维德霍温
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权: 61/136,144 2008.08.14 US
- 国际申请: PCT/EP2009/005509 2009.07.30
- 国际公布: WO2010/017892 EN 2010.02.18
- 进入国家日期: 2011-02-10
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; H05G2/00
摘要:
一种光刻设备(1),包括:辐射源(SO),被配置成产生极紫外辐射,所述辐射源(SO)包括:腔(210),在所述腔中产生等离子体(225);收集器反射镜(270),被配置以反射由所述等离子体(225)发射的辐射;和碎片减缓系统(230),所述碎片减缓系统(230)包括:气体供给系统(235),被配置以朝向所述等离子体供给第一气流(240),所述第一气流(240)被选择以将由所述等离子体(225)产生的碎片热能化;和多个气体岐管(247),被布置在靠近所述收集器反射镜(270)的位置处,所述气体岐管被配置成将第二气流(250)供给到所述腔(210)内,所述第二气流(250)被朝向所述等离子体(225)引导,以防止被热能化的碎片沉积到所述收集器反射镜(270)上。
公开/授权文献
- CN102119365B 辐射源、光刻设备和器件制造方法 公开/授权日:2013-06-05
IPC分类: