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发明公开
CN102084299A EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法 有权

  • 专利标题： EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法
  • 专利标题（英）： Source module of an EUV lithographic apparatus, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device
  • 申请号： CN200980126024.9
    申请日： 2009-07-13
  • 公开(公告)号： CN102084299A
    公开(公告)日： 2011-06-01
  • 发明人: M·范赫鹏 , W·索尔 , A·亚库宁
  • 申请人： ASML荷兰有限公司
  • 申请人地址： 荷兰维德霍温
  • 专利权人： ASML荷兰有限公司
  • 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
  • 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 王波波
  • 优先权： 61/129,715 2008.07.14 US
  • 国际申请： PCT/EP2009/058894 2009.07.13
  • 国际公布： WO2010/007015 EN 2010.01.21
  • 进入国家日期： 2011-01-04
  • 主分类号： G03F7/20
  • IPC分类号： G03F7/20 ;  H05G2/00
EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法
摘要：
一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。
摘要（英）：

A source module (10) for use in a lithographic apparatus is constructed to generate extreme ultra violet (EUV) and secondary radiation, and includes a buffer gas configured to cooperate with a source of the EUV radiation. The buffer gas has at least 50% transmission for the EUV radiation and at least 70% absorption for the secondary radiation.

公开/授权文献
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