- 专利标题： EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法
- 专利标题（英）： Source module of an EUV lithographic apparatus, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device
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申请号： CN200980126024.9申请日： 2009-07-13
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公开(公告)号： CN102084299B公开(公告)日： 2013-09-11
- 发明人: M·范赫鹏 , W·索尔 , A·亚库宁
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权： 61/129,715 2008.07.14 US
- 国际申请： PCT/EP2009/058894 2009.07.13
- 国际公布： WO2010/007015 EN 2010.01.21
- 进入国家日期： 2011-01-04
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H05G2/00
摘要：
一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。
公开/授权文献
- CN102084299A EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法 公开/授权日：2011-06-01
IPC分类:
