公开(公告)号：CN110828292A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810913224.X

申请日：2018-08-13

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张雅超 ,  张进成 ,  张金风 ,  许晟瑞 ,  苏凯 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/373

摘要： 本发明涉及一种基于复合衬底的半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：选取Si衬底层；在所述Si衬底层下表面生长金刚石层；在所述Si衬底层上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上表面生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的Si衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成Si/金刚石复合衬底结构，利用金刚石层的高热导率的优点，解决了单纯在Si衬底层上生长大功率氮化物半导体材料存在的散热差的问题。

公开(公告)号：CN110164766A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910326079.X

申请日：2019-04-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  吕丹丹 ,  张进成 ,  苏凯 ,  张雅超 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373

摘要： 本发明涉及一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法。其中，基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法包括步骤：在氮化镓材料层的第一面生长金刚石层；在所述氮化镓材料层的第二面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。该制备方法通过在氮化镓材料层的第一面直接生长金刚石层，避免引入介质层，消除了介质层材料热阻的影响，使得金刚石与氮化镓材料直接接触，从而使氮化镓器件直接利用热导率较高的金刚石进行散热，有效解决了氮化镓大功率器件的散热问题。

公开(公告)号：CN105932041B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610297803.7

申请日：2016-05-06

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。

公开(公告)号：CN105869998B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610333650.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  吕佳骐 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105140365B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510508696.3

申请日：2015-08-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  张金风

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN107170796A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710198228.X

申请日：2017-03-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  丛冠宇 ,  杜鸣 ,  郝跃 ,  张金风 ,  林志宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

公开(公告)号：CN104393048B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410658234.5

申请日：2014-11-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  葛安奎 ,  郝跃 ,  边照科 ,  石朋毫 ,  张进成 ,  马晓华 ,  张金风 ,  杨林安 ,  曹艳荣

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种介质调制复合交叠栅功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层层(8)和保护层(13)，势垒层(3)上淀积有源极(4)与漏极(5)，钝化层(8)内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽靠近源极，凹槽靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，凹槽(10)中完全填充有高介电常数介质(11)，在栅槽内、栅槽与漏极之间的钝化层上部及高介电常数介质上部淀积有交叠栅(12)，高介电常数介质与交叠栅构成复合交叠栅。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。(2)、势垒层(3)、台面(6)、绝缘介质层(7)、钝化

公开(公告)号：CN104409494A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410660221.1

申请日：2014-11-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  佘伟波 ,  赵雁鹏 ,  李洋洋 ,  杨翠 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66431

摘要： 本发明公开了一种基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层内刻有源槽(9)与漏槽(10)；钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有直角源场板(11)和直角漏场板(12)；直角源场板与源极电气连接，且下端完全填充源槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽；直角源场板靠近栅极一侧边缘与源槽靠近栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。本发明工艺简单、正向特性与反向特性好、成品率高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN103898506A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410166271.4

申请日：2014-04-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 姜腾 ,  许晟瑞 ,  郝跃 ,  张进成 ,  张金风 ,  林志宇 ,  雷楠 ,  陆小力

IPC分类号： C23C28/04 ,  C23C16/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，高质量的优点，可用于制作高性能极性AlN纳米器件。

公开(公告)号：CN116719678A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310610215.4

申请日：2023-05-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 赵晓春 ,  张金风 ,  刘斌

IPC分类号： G06F11/22

摘要： 本发明提供的一种面向含多通道轮询选择器模块的高效验证方法及系统，通过获取包含多通道轮询选择器模块的芯片进行拆分，将多通道轮询选择器模块拆分出来以减少模块复杂度，避免形式验证由于待测设计内部组合状态过多，算力不足而导致验证失败，提高了验证的稳定性和安全性；本发明采用形式验证来对多通道多通道轮询选择器模块进行验证，利用形式验证可以对断言约束下的场景进行全面覆盖的特点，弥补了常用的验证方法无法遍历这种内部组合数极多的模块的缺点；本发明相比传统的动态仿真对多通道多通道轮询选择器模块进行验证，由于大量工作都可以自动化完成，因此本发明可以减少人力。