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公开(公告)号：CN115375529A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110559766.3
申请日：2021-05-21
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法，所述装置部署于FPGA，所述装置包括：一级总线、二级总线、摄像设备、存取存储器、处理器、数字紧耦合存储器、直接存储访问器、加速器、存储卡；所述处理器与所述直接存储访问器连接，还与所述一级总线连接；所述直接存储访问器与所述处理器连接，还与所述一级总线连接；所述一级总线与所述处理器、所述直接存储访问器、所述第二总线、所述数字紧耦合存储器、所述加速器连接；所述第二总线与所述摄像设备、存取存储器连接；所述加速器与所述一级总线和所述存储卡连接。本发明能够基于所述图像检测装置进行高准确度、低成本、快速、便捷地获取目标检测结果。
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公开(公告)号：CN105762078B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610298297.3
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/778 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、栅、漏电极。其中GaN纳米沟道的两侧增设有AlGaN势垒层，使GaN纳米沟道被包裹在AlGaN势垒层内，在GaN纳米沟道的上方和两侧形成AlGaN/GaN异质结；栅电极位于AlGaN/GaN异质结的两侧和上方。本发明具有栅控能力好，饱和电流大及源漏电阻小的优点，可作为小尺寸的高速高频器件。
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公开(公告)号：CN105762078A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610298297.3
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/778 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L29/66431 , B82Y30/00 , H01L29/2003 , H01L29/7783
摘要： 本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、栅、漏电极。其中GaN纳米沟道的两侧增设有AlGaN势垒层，使GaN纳米沟道被包裹在AlGaN势垒层内，在GaN纳米沟道的上方和两侧形成AlGaN/GaN异质结；栅电极位于AlGaN/GaN异质结的两侧和上方。本发明具有栅控能力好，饱和电流大及源漏电阻小的优点，可作为小尺寸的高速高频器件。
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公开(公告)号：CN115374929A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110559767.8
申请日：2021-05-21
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于FPGA的卷积神经网络加速器及其加速方法，所述加速器部署于FPGA，所述加速器包括：控制器、卷积模块、先进先出存储器、加法器、偏置缓冲器、池化模块、线性整流函数模块、数据传输通道和随机存取存储器。本发明能够提高卷积神经网络的处理速度、存储量与计算资源。
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公开(公告)号：CN105932041B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610297803.7
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。
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公开(公告)号：CN105914232B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610298895.0
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。
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公开(公告)号：CN105810728B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610297876.6
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高，栅控能力强，源、漏电阻小的优点，可作为小尺寸的增强型器件。
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公开(公告)号：CN105932041A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610297803.7
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/7781 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/045 , H01L29/0684 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/4175 , H01L29/41775 , H01L29/42356 , H01L29/66462
摘要： 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。
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公开(公告)号：CN105810728A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610297876.6
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/66462
摘要： 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高，栅控能力强，源、漏电阻小的优点，可作为小尺寸的增强型器件。
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公开(公告)号：CN105914232A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610298895.0
申请日：2016-05-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。
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