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公开(公告)号：CN107170799B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710198912.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种浮空栅‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(10)；两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，势垒层上两侧淀积有两个源极(12)，两个源极下方有两个注入区(11)，除肖特基漏极底部以外区域覆盖有钝化层(15)，其中：两侧钝化层内制作有浮空栅‑漏复合场板(14)，浮空栅‑漏复合场板由栅场板、漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成，电流阻挡层采用二级阶梯结构。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170796B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710198228.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN108598147A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810321820.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了渐变组分漂移层垂直型功率二极管，主要解决现有垂直功率器件无法同时实现高击穿电压和低导通电阻的问题。其包括：衬底(1)、P型极化漂移层(2)、N型极化漂移层(3)，P型极化漂移层和N型极化漂移层的上部淀积有阳极(4)，衬底下部淀积有阴极(5)；该P型极化漂移层由m层Al组分为自下而上线性递增的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的左侧；该N型极化漂移层由m层Al组分为自下而上线性递减的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的右侧。本发明能同时实现高击穿电压和低导通电阻，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170797B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710198826.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7)，势垒层上两侧淀积有源极(11)，源极之间势垒层上外延有帽层(8)，帽层两侧刻有台阶(9)，帽层上淀积有栅极(12)，两个电流阻挡层之间形成孔径(5)，衬底下淀积有肖特基漏极(13)，肖特基漏极底部以外的所有区域包裹有钝化层(14)，钝化层背面的两侧刻有阶梯，阶梯处淀积有金属，形成阶梯场板(15)，该阶梯场板与肖特基漏极电气连接，阶梯场板的下方完全填充保护层(16)。本发明反向击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170799A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710198912.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种浮空栅‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(10)；两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，势垒层上两侧淀积有两个源极(12)，两个源极下方有两个注入区(11)，除肖特基漏极底部以外区域覆盖有钝化层(15)，其中：两侧钝化层内制作有浮空栅‑漏复合场板(14)，浮空栅‑漏复合场板由栅场板、漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成，电流阻挡层采用二级阶梯结构。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107170795B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710197668.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170796A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710198228.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN108598147B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810321820.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了渐变组分漂移层垂直型功率二极管，主要解决现有垂直功率器件无法同时实现高击穿电压和低导通电阻的问题。其包括：衬底(1)、P型极化漂移层(2)、N型极化漂移层(3)，P型极化漂移层和N型极化漂移层的上部淀积有阳极(4)，衬底下部淀积有阴极(5)；该P型极化漂移层由m层Al组分为自下而上线性递增的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的左侧；该N型极化漂移层由m层Al组分为自下而上线性递减的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的右侧。本发明能同时实现高击穿电压和低导通电阻，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170797A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710198826.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7)，势垒层上两侧淀积有源极(11)，源极之间势垒层上外延有帽层(8)，帽层两侧刻有台阶(9)，帽层上淀积有栅极(12)，两个电流阻挡层之间形成孔径(5)，衬底下淀积有肖特基漏极(13)，肖特基漏极底部以外的所有区域包裹有钝化层(14)，钝化层背面的两侧刻有阶梯，阶梯处淀积有金属，形成阶梯场板(15)，该阶梯场板与肖特基漏极电气连接，阶梯场板的下方完全填充保护层(16)。本发明反向击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN107170795A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710197668.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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