公开(公告)号：CN108962998A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811169461.6

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN105734493B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105336791B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN104769150B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201380058422.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  C01B13/14 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN104485336B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201410635394.8

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。

公开(公告)号：CN106847929A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710111162.6

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN103843145B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280047612.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN105779940A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610333336.9

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105514171A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510904211.2

申请日：2009-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体装置的方法。本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层，对形成在衬底上的栅极绝缘层、源电极层及漏电极层的表面进行表面处理，在进行该表面处理后，在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上形成氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN103339715B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。