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公开(公告)号：CN100459153C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200310117969.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/045 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7838
Abstract: 本发明提供一种SiC-MISFET及其制造方法。累积型SiC-MISFET，具备：SiC基板(1)、n型漂移层(2c)、p型阱区域(3)、n型源区域(4)、包含n型杂质成为累积型沟道层的SiC沟道层(5)、p型高浓度传导层(9)、栅绝缘膜(6)、栅电极(13)等。另外，设置向n型漂移层(2c)的上面部部分地注入p型杂质离子而形成的，并包含比阱区域(3)具有更高浓度的同导电型杂质的部分高浓度注入层(7A)。由此，提供常截止的累积型SiC-MISFET，可以流过高电流密度的漏极电流。
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公开(公告)号：CN100413060C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200480003582.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/3672 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：包括使用了宽能带隙半导体的功率半导体元件的半导体芯片(61)、基材(62、63)、第1、第2中间构件(65、68a)、热传导构件(66)和散热片(67)、半导体芯片(61)、将第1、第2中间构件(65、68a)及热传导构件(66)密封的密封材(68)。基材(62、63)的各头端部成为外部连接端子(62a、63a)。第2中间构件(68a)由热传导率比第1中间构件(65)更低的材料构成，在与半导体芯片(61)的接触面积方面，第2中间构件(68a)的一方大于第1中间构件(65)。
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公开(公告)号：CN101233616A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027400.5
申请日：2006-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/3205 , H01L29/12 , H01L21/822 , H01L29/47 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L23/52 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48666 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。
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公开(公告)号：CN100403537C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN03801341.X
申请日：2003-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/62 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/7806 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2224/84205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件(半导体模块)及其制造方法。半导体模块具备在SiC衬底上、能够个别地工作的区段(1)(半导体元件)。区段(1)具备：设置在SiC衬底主面侧上源电极焊接区(2)及栅电极焊接区(3)和设置在SiC衬底的背面侧上的漏电极焊接区。具备用于使相邻接的区段(1)彼此之间电隔离的沟槽、肖特基二极管等元件隔离区。仅仅将经检查确认是合格品的区段(1)的电极焊接区(2、3)连接在电极端子(41、43)上。
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公开(公告)号：CN1265467C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02803417.1
申请日：2002-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/7725 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种半导体装置，具有存储型SiC-MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1748306A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003582.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/3672 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：包括使用了宽能带隙半导体的功率半导体元件的半导体芯片(61)、基材(62、63)、第1、第2中间构件(65、68a)、热传导构件(66)和散热片(67)、半导体芯片(61)、将第1、第2中间构件(65、68a)及热传导构件(66)密封的密封材(68)。基材(62、63)的各头端部成为外部连接端子(62a、63a)。第2中间构件(68a)由热传导率比第1中间构件(65)更低的材料构成，在与半导体芯片(61)的接触面积方面，第2中间构件(68a)的一方大于第1中间构件(65)。
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公开(公告)号：CN1532943A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410030008.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L23/485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7828 , H01L29/7835 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种炭化硅半导体器件及其制造方法，在使用炭化硅的半导体器件中，通过提高电极与层间绝缘膜之间的贴紧性来提高可靠性。在本发明的半导体器件中设置有：炭化硅衬底1、n型的高电阻层2、设置在高电阻层2的表面一层的阱区域3、设置在阱区域3内的p+接触区域4、设置在阱区域3中的p+接触区域4的两侧的源极区域5、设置在源极区域5上且由镍构成的第1源电极8、覆盖第1源电极8且由铝构成的第2源电极9、设置在被两个阱区域3夹着的高电阻层2上的栅极绝缘膜6、由铝构成的栅电极10、及覆盖第2源电极9和栅电极10上且由氧化硅膜构成的层间绝缘膜11。由于第2源电极9与层间绝缘膜11的贴紧性比第1源电极8好，因此层间绝缘膜11与源电极难以脱离。
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公开(公告)号：CN1414605A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02148065.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L29/365 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/0445 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐压高、移动度大的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1080923C
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN95118252.8
申请日：1995-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射阴极包括：一个n型半导体膜，该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒；及一个与n型半导体膜对置的阳极，并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。
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公开(公告)号：CN1237272A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801243.X
申请日：1998-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/20 , H01L29/80
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B23/02 , C30B29/36 , H01L29/045 , H01L29/1075 , H01L29/66068 , Y10S117/913 , Y10T428/12576 , Y10T428/12674
Abstract: 在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中,一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态,一边利用MBE法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此,可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长,可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外,在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时,进而使用向(数1)方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。
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