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公开(公告)号：CN110875242A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910742708.7
申请日：2019-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。
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公开(公告)号：CN107447242A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610378266.9
申请日：2016-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C25D7/12 , C25D17/001 , C25D21/12
Abstract: 提供一种用于镀敷衬底的装置和方法。装置包括：用于容纳电镀溶液的电镀槽；用于在电镀溶液中夹持衬底的衬底夹具；耦合至衬底夹具并且配置为使衬底夹具旋转的旋转驱动器；耦合至旋转驱动器的配电装配件；设置在电镀槽内的阳极；电耦合在阳极和配电装配件之间的供电单元，从而形成电回路；以及用于为电回路提供预定的阻抗值的电流调节构件，其中，由供电单元提供的电压使得电流流经电回路，并且选择预定的阻抗，从而使得在与不存在电流调节构件的情况下测得的结果相比，电流的变化保持在更小的范围内。
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公开(公告)号：CN104733298B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410075694.5
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0673 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了具有金属栅极的半导体结构及其制造方法。用于制造金属栅极结构的方法，包括：在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止层上方形成功函调整层，晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，掺杂层被配置为将掺杂剂原子提供给晶界工程层，并且覆盖层被配置为防止掺杂层氧化；以及填充金属，以使栅极沟槽填平。在诸如约200摄氏度至约350摄氏度的各个温度下，通过ALD操作来制备晶界工程层。
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公开(公告)号：CN102994979A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110426099.8
申请日：2011-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01J37/32091
Abstract: 公开了用于调节腔室的系统和方法。实施例包括应用沉积腔室沉积第一层，以及调节沉积腔室。可以通过在第一层上方沉积不同种类的材料实施调节沉积腔室的步骤。不同种类的材料可以覆盖并密封第一层，从而阻止第一层的颗粒脱落以及在后续的加工运行期间可能落在衬底上。本发明还提供了一种腔室调节方法。
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公开(公告)号：CN113471140B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202011576888.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/06
Abstract: 本公开的实施例描述了一种用于在无衬垫导电结构与下方导电结构之间形成阻挡结构的方法。该方法包括在布置在接触层上的介电层中形成开口，其中，开口暴露接触层中的导电结构。第一金属层沉积在开口中，并且在导电结构的顶表面上生长得较厚，并且在开口的侧壁表面上生长得较薄。该方法还包括将第一金属层暴露于氨以形成具有第一金属层和第一金属层的氮化物的双层，并且随后将氮化物暴露于氧等离子体以将第一金属层的氮化物的一部分转换为氧化物层。该方法还包括去除氧化物层并在第一金属层的氮化物上形成含半导体层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN118674593A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311025931.2
申请日：2023-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种紧急反应的方法及系统及非暂时性机器可读媒体。方法包含基于侦测到异常状况的感测器来标识事故情况。查询一个或多个生命安全系统以获得生命安全系统数据。查询一个或多个数据库，以获得现场信息，该数据库包括设备信息、化学品信息、人员信息及/或紧急反应偶发事故程序。将生命安全系统数据及现场信息整合在一起以产生事故情况信息。通过电子显示器显示事故情况信息。此方法有助于提高实施紧急反应程序的效率。
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公开(公告)号：CN118460989A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410436727.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 一种监控前驱物腔体的系统及方法、监控且控制沉积的系统，用于在沉积工艺期间监控前驱物腔体的系统包括感测器及信号处理器。该感测器包括感测器腔室，该感测器腔室与该前驱物腔体及沉积腔室管线连接；辐射发射器，该辐射发射器用以发射通过该感测器腔室中的含前驱物气体的辐射；及辐射接收器，该辐射接收器用以接收通过该含前驱物气体的该辐射。该信号处理器自所接收的该辐射获得该含前驱物气体的吸收光谱，且基于该吸收光谱来决定该前驱物腔体中的剩余前驱物量。该系统促进在沉积操作期间线内监控该前驱物腔体中的该剩余前驱物量。
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公开(公告)号：CN115522173B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210593568.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种沉积系统及其操作方法，沉积系统能够通过将温度维持在预定温度范围内来防止靶材及其他元件因归因于来自溅射制程的热应力而变形来延长腔室运行时间。沉积系统包含基板处理腔室、基板处理腔室内的靶材及以圆形形式形成在材靶上的多个凹槽。多个凹槽包含靶材的中央部上的第一凹槽及靶材的外围部分上的第二凹槽。
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公开(公告)号：CN113265625B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110126895.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/768
Abstract: 提供一种物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法，用于执行物理气相沉积(PVD)制程的PVD标靶包括背板及耦接至背板的标靶板。标靶板包括溅射源材料及掺杂剂，前提为此掺杂剂并非溅射源材料中的杂质。溅射源材料包括扩散阻障材料。
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