公开(公告)号：CN102994979A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110426099.8

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  蔡家铭 ,  纪良臻 ,  陈健源 ,  刘格志

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32091

Abstract: 公开了用于调节腔室的系统和方法。实施例包括应用沉积腔室沉积第一层，以及调节沉积腔室。可以通过在第一层上方沉积不同种类的材料实施调节沉积腔室的步骤。不同种类的材料可以覆盖并密封第一层，从而阻止第一层的颗粒脱落以及在后续的加工运行期间可能落在衬底上。本发明还提供了一种腔室调节方法。

公开(公告)号：CN107026206A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611225939.3

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 纪良臻 ,  王锦焜 ,  蔡家铭 ,  陈敏璋 ,  王唯诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明实施例公开半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、在衬底上方的栅极以及在栅极与衬底之间的栅介电层。栅介电层包括具有大于约8的介电常数且处于非晶态的氧化物抑制层。

公开(公告)号：CN102994979B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110426099.8

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  蔡家铭 ,  纪良臻 ,  陈健源 ,  刘格志

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供了沉积材料的方法，该方法包括：在衬底上形成第一材料期间，在沉积腔室的表面上形成第一层，第一层包含第一材料并具有突出物；在形成第一材料之后调节沉积腔室，所述调节在第一材料和突出物的上方形成第二层，第二层包含第二材料，第二材料不同于第一材料，其中，第二层阻止突出物从第一层脱落；在第二层上形成第三层，第三层包含第三材料；以及在形成第三层之后调节沉积腔室，在形成第三层之后调节沉积腔室的步骤在第三材料上方形成第四层，第四层包含第四材料，第四材料不同于第三材料。