公开(公告)号：CN106298885B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN106298885A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN101387870A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200710128761.5

申请日：2007-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张永政 ,  傅学士 ,  王英郎 ,  王锦焜

IPC: G05B19/04 ,  G05B19/418

CPC classification number: G05B19/41865 ,  G05B2219/31325 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/0631 ,  G06Q10/06311 ,  G06Q10/06312 ,  G06Q10/06313 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

Abstract: 本发明揭示了改善产品合格率的方法、程序及其系统，以达到较佳的缺陷密度及提高产品合格率的目的。为求增强的绝佳工具选择及发送，本发明提供一种绝佳工具选择及发送系统，用以整合不同部件。该绝佳工具选择系统是依据制造工具的一集合效能来选择绝佳工具的一集合，并且提供一全自动化操作环境，以使用该绝佳工具的集合生产一产品。

公开(公告)号：CN119310794A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411254025.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  王锦焜

IPC: G03F1/62 ,  H01L21/027 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本申请涉及薄膜、薄膜‑光掩模结构以及形成半导体器件的方法。提供了一种薄膜，该薄膜包括薄膜膜，该薄膜膜具有提升的对氢等离子体的稳定性。该薄膜膜包括多个碳纳米管的网络。多个碳纳米管中的至少一个碳纳米管被多层保护涂层围绕，该多层保护涂层包括应力控制层以及应力控制层之上的氢渗透阻挡层。应力控制层和氢渗透阻挡层各自包括含Me氮化物或含Me氧氮化物，Me选自由Si、Ti、Y、Hf、Zr、Zn、Mo、Cr及其组合组成的组。应力控制层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第一Me浓度，氢渗透阻挡层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第二Me浓度，第二Me浓度小于第一Me浓度。

公开(公告)号：CN107026206A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611225939.3

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 纪良臻 ,  王锦焜 ,  蔡家铭 ,  陈敏璋 ,  王唯诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明实施例公开半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、在衬底上方的栅极以及在栅极与衬底之间的栅介电层。栅介电层包括具有大于约8的介电常数且处于非晶态的氧化物抑制层。

公开(公告)号：CN101387870B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200710128761.5

申请日：2007-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张永政 ,  傅学士 ,  王英郎 ,  王锦焜

IPC: G05B19/04 ,  G05B19/418

CPC classification number: G05B19/41865 ,  G05B2219/31325 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/0631 ,  G06Q10/06311 ,  G06Q10/06312 ,  G06Q10/06313 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

Abstract: 本发明揭示了改善晶片合格率的方法及其系统，以达到较佳的缺陷密度及提高产品合格率的目的。为求增强的绝佳工具选择及发送，本发明提供一种绝佳工具选择及发送系统，用以整合不同部件。该绝佳工具选择系统是依据制造工具的一集合效能来选择绝佳工具的一集合，并且提供一全自动化操作环境，以使用该绝佳工具的集合生产一晶片。