公开(公告)号：CN112242434B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010698215.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜文仙 ,  李暐凡

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体器件包括从设置在衬底上方的第一隔离绝缘层突出的鳍结构、设置在鳍结构的沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅电极层、设置在鳍结构的源极/漏极区域上方的基极半导体外延层，以及设置在基极半导体外延层上方的盖极半导体外延层。盖极半导体外延层具有与基极半导体外延层不同的晶格常数，并且盖极半导体外延层沿源极至漏极方向的表面粗糙度大于零并且小于基极半导体外延层沿源极至漏极方向的表面粗糙度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113270496A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202011460733.5

申请日：2020-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜文仙 ,  李暐凡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088

Abstract: 一种鳍式场效晶体管包括具有鳍片在上的基材，其中鳍片的第一鳍片部分的高度低于第二鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管结构还包括相邻鳍片的介电层，其中介电层围绕在第二鳍片部分的底部部分和第一鳍片部分的侧壁，且介电层的高度高于第一鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管亦包括在介电层无覆盖到的第二鳍片部分上的栅极堆叠和生长在第一鳍片部分的顶表面上的磊晶堆叠，其中磊晶堆叠紧靠栅极堆叠并包括具有晶面的第一结晶磊晶层、在第一结晶层上的非结晶磊晶层、和在非结晶磊晶层上第二结晶磊晶层，其中第二结晶层实质上为无晶面。

公开(公告)号：CN106298885A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN112242434A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010698215.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜文仙 ,  李暐凡

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体器件包括从设置在衬底上方的第一隔离绝缘层突出的鳍结构、设置在鳍结构的沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅电极层、设置在鳍结构的源极/漏极区域上方的基极半导体外延层，以及设置在基极半导体外延层上方的盖极半导体外延层。盖极半导体外延层具有与基极半导体外延层不同的晶格常数，并且盖极半导体外延层沿源极至漏极方向的表面粗糙度大于零并且小于基极半导体外延层沿源极至漏极方向的表面粗糙度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106298885B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。