公开(公告)号：CN112420702A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010682034.9

申请日：2020-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄智雄 ,  蔡仲恩 ,  刘致为 ,  郭观华 ,  萧亦修

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包括基板、栅极堆叠和磊晶结构。栅极堆叠位于基板上方并且包括栅极介电层、底部功函数金属层、顶部功函数金属层和填充金属。底部功函数金属层位于栅极介电层上方。顶部功函数金属层在底部功函数金属层上方并与其接触。顶部功函数金属层和底部功函数金属层中的至少一个包括掺杂剂，并且顶部功函数金属层比底部功函数金属层厚。填充金属位于顶部功函数金属层上方。磊晶结构位于基板上方并与栅极堆叠相邻。

公开(公告)号：CN106298885B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN106298885A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。