-
公开(公告)号：CN112582400A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010268026.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明描述了半导体器件，该半导体器件包括具有第一栅极结构的第一晶体管。第一栅极结构包括掺杂有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂的第一栅极介电层和位于第一栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的第一栅电极。该半导体器件还包括具有第二栅极结构的第二晶体管，其中第二栅极结构包括掺杂有第二掺杂剂浓度的第二掺杂剂的第二栅极介电层，第二掺杂剂浓度低于第一掺杂剂浓度。第二栅极结构还包括位于第二栅极介电层上的第二功函层和位于第二功函层上的第二栅电极。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN112542422A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010906289.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L29/78
Abstract: 形成半导体器件的方法包括蚀刻介电层以在介电层中形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的金属层，对金属层实施氮化工艺以将金属层的部分转换为金属氮化物层，对金属氮化物层实施氧化工艺以形成金属氮氧化物层，去除金属氮氧化物层，并且使用自底向上沉积工艺将金属材料填充至沟槽中以形成接触插塞。本申请的实施例还涉及半导体器件。
-
公开(公告)号：CN112530871A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010607648.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 提供半导体装置的形成方法。提供基板。基板具有第一区与第二区。形成n型功函数层于第一区中的基板上，但不形成n型功函数层于第二区中的基板上。形成p型功函数层于第一区中的n型功函数层与第二区中的基板上。p型功函数层直接接触第二区中的基板。p型功函数层包括金属氧化物。
-
公开(公告)号：CN112103183A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010041094.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。
-
公开(公告)号：CN110970295A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924969.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种栅极结构的形成方法，其包括：形成沟槽于半导体基板上的层间介电层中，且沟槽露出半导体基板的上表面；形成界面层于沟槽的底部；形成介电层于沟槽中；形成功函数金属层于介电层上；原位形成氮化物层于沟槽中的功函数金属层上；进行钴的第一沉积工艺，以形成钴层于沟槽中；进行钴的第二沉积工艺，以增加沟槽中的钴层的厚度；以及进行电化学镀工艺以将钴填入沟槽。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801873A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810240196.X
申请日：2018-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例公开了互连结构和用于形成互连结构的相应技术。示例性方法包括在介电层中形成接触开口。接触开口具有由介电层限定的侧壁和由导电部件限定的底部。对接触开口的侧壁(在一些实施方式中，以及底部)实施ALD类含氮等离子体预处理工艺。实施ALD工艺以在接触开口的侧壁和底部上方形成含钛和氮阻挡层。之后，在含钛和氮阻挡层上方形成含钴体层。ALD类含氮等离子体预处理工艺的循环包括含氮等离子体脉冲阶段和净化阶段。ALD工艺的循环包括含钛脉冲阶段、第一净化阶段、含氮等离子体脉冲阶段和第二净化阶段。本发明实施例涉及一种集成电路器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN109768013A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810178766.7
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上方。该方法还包括通过以下步骤填充第一开口和第二开口：形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成阈值电压调整层，回蚀第二开口中的阈值电压调整层，在阈值电压调整层上方形成功函层以及在功函层上方形成金属填充层。阈值电压调整层包括钽和氮。回蚀使用含氯化钨的前体。
-
公开(公告)号：CN109728091A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810201183.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L23/535
Abstract: 半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。
-
公开(公告)号：CN106245003A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510827051.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/45565 , C23C16/5096
Abstract: 提供了一种在沉积设备中使用的气体分配器。该气体分配器包括喷头，喷头包括多个孔；以及掩模层，形成在喷头的表面上，其中孔穿透穿过掩模层。还公开了使用气体分配器的沉积设备。
-
公开(公告)号：CN104733298A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410075694.5
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0673 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了具有金属栅极的半导体结构及其制造方法。用于制造金属栅极结构的方法，包括：在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止层上方形成功函调整层，晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，掺杂层被配置为将掺杂剂原子提供给晶界工程层，并且覆盖层被配置为防止掺杂层氧化；以及填充金属，以使栅极沟槽填平。在诸如约200摄氏度至约350摄氏度的各个温度下，通过ALD操作来制备晶界工程层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.038 seconds)
