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公开(公告)号：CN113223964A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110030646.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及用于从栅极去除尖峰的工艺。一种方法包括：在半导体区域上形成虚设栅极电极；在虚设栅极电极的侧壁上形成第一栅极间隔件；以及去除第一栅极间隔件的上部部分以形成凹槽，其中第一栅极间隔件的下部部分保留；用第二栅极间隔件填充凹槽；去除虚设栅极电极以形成沟槽；以及在沟槽中形成替换栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN113206089A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110192760.7
申请日：2021-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极/漏极区域，该外延源极/漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。
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公开(公告)号：CN112420516A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010535222.9
申请日：2020-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，该半导体装置，包括：延伸自基底的鳍片，于鳍片的侧壁上且沿着侧壁的栅极堆叠，沿着栅极堆叠的第一侧壁及鳍片的侧壁的间隔物，沿着鳍片的侧壁的虚置栅极材料，其中虚置栅极材料位于间隔物与栅极堆叠之间，以及位于鳍片中且邻近于栅极堆叠的第一外延源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN109727977B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN111276543A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010102070.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括：提供具有凹槽和衬垫凹槽的介电层的工件；在凹槽内形成导电结构，其中，导电结构部分地填充凹槽；以及使介电层凹进，其中，在凹进之后，凹进的介电层的顶面设置在凹槽内部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110610859A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201811178401.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
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公开(公告)号：CN109860115A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810951405.1
申请日：2018-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在此揭示一种集成电路装置结构的切割方法，特别是用于鳍式场效晶体管(FinFET)的金属栅极切割技术。示例性的方法包括接收集成电路装置结构，此集成电路装置结构包括基板、设置于基板上方的一或多个鳍片、设置于鳍片上方的多个栅极结构、设置于栅极结构之间并与栅极结构相邻的介电层、以及设置于栅极结构上方的图案化层。栅极结构横跨鳍片，并包括第一栅极结构及第二栅极结构。方法进一步包括：在图案化层中形成开口以暴露第一栅极结构的一部分、第二栅极结构的一部分以及介电层的一部分，移除第一栅极结构的暴露部分、第二栅极结构的暴露部分以及介电层的暴露部分。
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公开(公告)号：CN109860112A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810372943.5
申请日：2018-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在此揭露具有切割深度控制的半导体结构及其制作方法。在半导体装置的制作方法中，首先，形成从基材突伸出的鳍片。然后，成长源极/漏极元件于鳍片的两端。接着，沉积跨越鳍片并包围源极/漏极元件的层间介电层。被层间介电层所包围的金属栅极结构是形成于源极/漏极元件之间。接着，进行替换操作，以将层间介电层的一部分替换为隔离材料，而形成相邻于金属栅极结构且位于相邻源极/漏极元件之间的隔离部分。然后，进行金属栅极切割操作，以形成金属栅极结构中的开口和隔离部分中的开口，而绝缘材料是沉积于这些开口中。
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公开(公告)号：CN109841679A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810596098.X
申请日：2018-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构的方法以及形成的结构。在一个实施例中，结构包括有源区上方的第一和第二栅极结构以及栅极切割填充结构。第一和第二栅极结构平行延伸。有源区包括横向地设置在第一和第二栅极结构之间的源极/漏极区。栅极切割填充结构具有第一和第二主要部分以及中间部分。第一和第二主要部分分别邻接第一和第二栅极结构。中间部分在第一和第二主要部分之间横向地延伸。第一和第二主要部分沿着第一和第二栅极结构的纵向中线的第一和第二宽度中的每一个分别大于中间部分的第三宽度，其中，该第三宽度在第一和第二栅极结构之间的中间并且平行于第一栅极结构的纵向中线。本发明还提供了半导体结构的切割方法以及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN109786463A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811355119.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 半导体器件及其形成方法包括每个均从衬底延伸的第一鳍和第二鳍。第一栅极段设置在第一鳍上方，并且第二栅极段设置在第二鳍上方。层间介电(ILD)层邻近第一栅极段和第二栅极段。切割区域(例如，第一栅极结构和第二栅极结构之间的开口或间隙)在第一和第二栅极段之间延伸。切割区域具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度。第二部分插入第一和第二栅极段，并且第一部分限定在ILD层内。本发明实施例涉及金属栅极结构及其制造方法。
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