公开(公告)号：CN110034180B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811314088.9

申请日：2018-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧怡瑄 ,  古淑瑗 ,  洪志昌 ,  杨宜伟 ,  孙志铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；形成一介电层于半导体基板之上以围绕第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；移除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成一第一沟槽和一第二沟槽于介电层中；分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于第一沟槽和第二沟槽中；部分地移除第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、和介电层以形成一凹陷，其中凹陷穿过第一金属栅极堆叠和第二金属栅极堆叠；以及形成一绝缘结构以至少部分地填充凹陷。

公开(公告)号：CN109841679B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201810596098.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志昌 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆 ,  古淑瑗 ,  萧怡瑄 ,  杨宜伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明描述了切割栅极结构的方法以及形成的结构。在一个实施例中，结构包括有源区上方的第一和第二栅极结构以及栅极切割填充结构。第一和第二栅极结构平行延伸。有源区包括横向地设置在第一和第二栅极结构之间的源极/漏极区。栅极切割填充结构具有第一和第二主要部分以及中间部分。第一和第二主要部分分别邻接第一和第二栅极结构。中间部分在第一和第二主要部分之间横向地延伸。第一和第二主要部分沿着第一和第二栅极结构的纵向中线的第一和第二宽度中的每一个分别大于中间部分的第三宽度，其中，该第三宽度在第一和第二栅极结构之间的中间并且平行于第一栅极结构的纵向中线。本发明还提供了半导体结构的切割方法以及由此形成的半导体结构。

公开(公告)号：CN106711045A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610993412.9

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  王志豪 ,  杨凱傑 ,  洪士庭 ,  吴伟豪 ,  吴琬瑶 ,  傅依婷 ,  苏嘉伟 ,  萧怡瑄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/42372

Abstract: 一种切割金属栅极的方法，此方法包括在基板上形成第一鳍与第二鳍。此第一鳍具有第一栅极区域且此第二鳍具有第二栅极区域。此方法亦包括在此第一及第二栅极区域上形成金属栅极接线。此金属栅极接线从第一鳍延伸至第二鳍。此方法亦包括施加线切割以将金属栅极接线分为第一子金属栅极接线及第二子金属栅极接线，并且在线切割中形成隔离区域。

公开(公告)号：CN110034180A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811314088.9

申请日：2018-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧怡瑄 ,  古淑瑗 ,  洪志昌 ,  杨宜伟 ,  孙志铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；形成一介电层于半导体基板之上以围绕第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；移除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成一第一沟槽和一第二沟槽于介电层中；分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于第一沟槽和第二沟槽中；部分地移除第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、和介电层以形成一凹陷，其中凹陷穿过第一金属栅极堆叠和第二金属栅极堆叠；以及形成一绝缘结构以至少部分地填充凹陷。

公开(公告)号：CN109860115A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810951405.1

申请日：2018-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  萧怡瑄 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆

IPC: H01L21/8234

Abstract: 在此揭示一种集成电路装置结构的切割方法，特别是用于鳍式场效晶体管(FinFET)的金属栅极切割技术。示例性的方法包括接收集成电路装置结构，此集成电路装置结构包括基板、设置于基板上方的一或多个鳍片、设置于鳍片上方的多个栅极结构、设置于栅极结构之间并与栅极结构相邻的介电层、以及设置于栅极结构上方的图案化层。栅极结构横跨鳍片，并包括第一栅极结构及第二栅极结构。方法进一步包括：在图案化层中形成开口以暴露第一栅极结构的一部分、第二栅极结构的一部分以及介电层的一部分，移除第一栅极结构的暴露部分、第二栅极结构的暴露部分以及介电层的暴露部分。

公开(公告)号：CN109860112A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810372943.5

申请日：2018-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志昌 ,  古淑瑗 ,  杨宜伟 ,  萧怡瑄 ,  张铭庆 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8234

Abstract: 在此揭露具有切割深度控制的半导体结构及其制作方法。在半导体装置的制作方法中，首先，形成从基材突伸出的鳍片。然后，成长源极/漏极元件于鳍片的两端。接着，沉积跨越鳍片并包围源极/漏极元件的层间介电层。被层间介电层所包围的金属栅极结构是形成于源极/漏极元件之间。接着，进行替换操作，以将层间介电层的一部分替换为隔离材料，而形成相邻于金属栅极结构且位于相邻源极/漏极元件之间的隔离部分。然后，进行金属栅极切割操作，以形成金属栅极结构中的开口和隔离部分中的开口，而绝缘材料是沉积于这些开口中。

公开(公告)号：CN109841679A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810596098.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志昌 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆 ,  古淑瑗 ,  萧怡瑄 ,  杨宜伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明描述了切割栅极结构的方法以及形成的结构。在一个实施例中，结构包括有源区上方的第一和第二栅极结构以及栅极切割填充结构。第一和第二栅极结构平行延伸。有源区包括横向地设置在第一和第二栅极结构之间的源极/漏极区。栅极切割填充结构具有第一和第二主要部分以及中间部分。第一和第二主要部分分别邻接第一和第二栅极结构。中间部分在第一和第二主要部分之间横向地延伸。第一和第二主要部分沿着第一和第二栅极结构的纵向中线的第一和第二宽度中的每一个分别大于中间部分的第三宽度，其中，该第三宽度在第一和第二栅极结构之间的中间并且平行于第一栅极结构的纵向中线。本发明还提供了半导体结构的切割方法以及由此形成的半导体结构。