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公开(公告)号：CN114512608B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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公开(公告)号：CN116406169A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310277624.7
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层、有机半导体蒸镀层、可溶性半导体层、电荷存储层、自组装层和栅绝缘层，以及作为衬底的栅电极层，所述栅绝缘层位于所述栅电极层上面。本发明还公开一种有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够有效改善TIPS‑Pentacene和PS混合溶液相分离后的生长形貌，提高器件良品率和迁移率等性能。
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公开(公告)号：CN115945226A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310070519.6
申请日：2023-02-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种打浆混合工艺，包括：通过胶化反应使待混料浆中的其中至少一种料浆形成胶态料浆；将该胶态料浆与其他待混料浆混合得到共混料浆；将共混料浆通过超声分散‑胶体磨混合进行若干次循环处理，至共混料浆中的粒度呈单分布且粒径随该循环处理变化率小于10％为止。本发明结合胶化、超声分散和胶体磨混合的优势，并进行循环处理，有助于实现不同料浆粒子的纳米尺度的分散和结合，防止不同组合尤其是载体组分的偏析聚集。应用于甲醇合成催化剂制备过程中铜锌二元前驱体料浆和铝载体前驱体料浆的混合，制备的催化剂Cu/ZnO活性中心与Al2O3载体组分纳米尺度均匀分布，防止活性中心组分迁移团聚，提高催化剂稳定性。
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公开(公告)号：CN110854275B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201911196975.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
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公开(公告)号：CN110635034B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910897203.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨炔的浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器包括由下到上依次设置的栅极、栅极绝缘层、电荷捕获层、半导体层、源电极和漏电极；其中，电荷捕获层由聚合物驻极体层和纳米浮栅层组成，所述纳米浮栅层的材质为石墨炔。本发明首次将石墨炔材料作为浮栅应用到有机场效应晶体管存储器中，且使用了工艺简易且成熟的旋涂法制备浮栅薄膜，选用一种简易的浮栅型场效应晶体管存储器的制备方法实现了器件的制备。石墨炔浮栅材料作为有机场效应晶体管(OFET)存储器的存储层，增强了器件的存储性能，且该浮栅型器件具有高稳定性，高开关比，低启动电压等特点，对实现有机器件的商业化生产中有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037449B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810659461.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN114544557A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210214605.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明提出一种宽光谱、高灵敏度、高通量的生物化学传感器及其传感方法，包括宽带光源、容器、金属颗粒层、阵列式探测芯片以及与阵列式探测芯片连接的计算单元；通过探测从金属颗粒层各部位所射出的经过局域表面等离子体共振并经过散射、衍射、干涉效应后照射在各像素元位置处的光的强度，代入到矩阵方程的增广矩阵中并求解该矩阵方程，根据所获得的计算结果与初始计算结果相比是否有变化从而检测待测溶液或待测气体的折射率变化或物性变化。本发明解决了现有生物化学传感器体积较大、检测需要加入标记、制作复杂、成本较高、通量较低、灵敏度低、检测波段较窄、检测对象较为单一、不能实时检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN114512608A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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公开(公告)号：CN114512605A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210038559.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性半导体与聚合物共混膜的叠层异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、p型有机半导体层、n型有机半导体层、共混层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述共混层为聚合物与p型材料并存且相分离的纳米共混薄膜，所述聚合物为聚苯乙烯，所述p型材料为tips‑并五苯。本发明的异质结底层共混膜结构采用溶液旋涂法制备，具有电子和空穴双重俘获能力，具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，并具有良好的维持能力。有利于推进有机场效应晶体管非易失存储器研究进程。
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公开(公告)号：CN111548683B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010400448.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯‑卟啉衍生物纳米垂直阵列薄膜及其制备方法与应用，该纳米垂直阵列薄膜功能薄膜是由适量比例的聚苯乙烯和卟啉衍生物混合而成，形貌均一，粗糙度低，工艺简单，可用于制备具有高开关比、高稳定性、高耐受性的非易失性浮栅型晶体管存储器。
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