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发明公开
基于可溶性半导体与聚合物共混膜的叠层异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN114512605A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210038559.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 , 曹博文 , 仪明东 , 陶奎 , 吴春辉 , 杨永豪

IPC: H01L51/10 , H01L51/05 , H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性半导体与聚合物共混膜的叠层异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、p型有机半导体层、n型有机半导体层、共混层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述共混层为聚合物与p型材料并存且相分离的纳米共混薄膜，所述聚合物为聚苯乙烯，所述p型材料为tips‑并五苯。本发明的异质结底层共混膜结构采用溶液旋涂法制备，具有电子和空穴双重俘获能力，具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，并具有良好的维持能力。有利于推进有机场效应晶体管非易失存储器研究进程。

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