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公开(公告)号：CN119541949A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411784665.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产以及石墨烯铜界面破碎的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉料；S2：将步骤S1中的所述石墨烯铜混合粉末装入进铜管内，封盖后焊接密封，以得到石墨烯铜棒；S3：将步骤S2中的所述石墨烯铜棒经过热轧、线切割、拉拔后制得高导电石墨烯铜导线。
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公开(公告)号：CN119459047A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411680462.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B9/04 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导电导热图案化石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯铜复合材料性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将光刻胶涂布于石墨烯包覆铜箔的两侧石墨烯层上，并固化，固化成型后对所述光刻胶进行图案化处理；S2：将步骤S1中的所述石墨烯包覆铜箔放置进光刻机内，按照图案化的光刻胶对石墨烯层进行刻蚀，去除光刻胶层，制得图案化石墨烯包覆铜箔；S3：将多块步骤S2中制得的所述图案化石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对所述图案化石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电导热石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119351812A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411533140.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种三维互联石墨烯增强铜复合材料及其制备方法，旨在解决铜及其合金在电子、电气等领域应用时面临的耐腐蚀性和导电性能局限性问题。通过采用化学气相沉积（CVD）技术，本发明在铜基体中引入石墨烯，形成三维互联网络结构，显著提升了复合材料的导电率和耐腐蚀性。本发明的三维互联石墨烯增强铜复合材料不仅具有优异的导电性能和耐腐蚀性，还展现出了良好的机械性能和加工性能，为高性能电子设备、能量存储系统和高效散热材料等领域的应用提供了广阔的前景。
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公开(公告)号：CN119343049A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411236495.8
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫化物的忆阻器及其制备方法，涉及忆阻器的技术领域，本发明旨在解决响应速度慢(ms级)、电导动态范围小、器件易击穿的问题，本发明包括有如下步骤：S1：精准制备出单层MoS2硅片；S2：对步骤S1制备出的所述单层MoS2硅片进行温和可控的缺陷调控；S3：采用所述单层MoS2硅片构筑水平结构的MoS2忆阻器。
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公开(公告)号：CN119343048A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411233048.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种构筑低能耗忆阻器的方法，涉及忆阻器构筑的技术领域，本发明旨在解决如何降低二维材料忆阻器的能耗的问题，本发明包括以下步骤：采用化学气相沉积法在带有300nmSiO2层的硅片上沉积单层MoS2；将沉积单层MoS2的硅片放入真空退火炉中做退火处理，得到二维MoS2材料；利用光刻工艺在新硅片上进行图案化，预制出底电极的位置，通过高真空热蒸镀的方法在预制底电极的位置蒸镀Au的底电极，并同时蒸镀Cr；在所述电极上蒸镀Sb2O3薄膜；将制得的二维MoS2材料通过湿法转移到制得的所述Sb2O3薄膜上，利用电子束曝光方法与刻蚀机刻蚀，将三角形的MoS2刻成条带状；利用热蒸镀方法蒸镀Au作为顶电极，将器件放入真空退火炉中进行退火，最终制成忆阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119160893A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411065979.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 本发明涉及一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件，包括：利用湿法刻蚀法，从MXene前驱体中制备出二维MXene材料；利用MXene表面丰富的高电负性官能团，对MXene进行原位硫化，生长出微米级别的硫单质，得到的S@MXene可用于突触的活性电极材料。该活性电极材料活性位点多，有利于突触在脉冲曲线下表现出高的动态范围。负载硫颗粒的MXene可以进一步与一维纳米材料混合搅拌，超声，可得到进一步改性的活性电极材料。通过一维纳米材料的插层作用调控MXene层间距，可以得到不同阻变特性的突触器件。本发明工艺简单，易于规模化生产，可拓展性高，在神经形态器件领域拥有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118340528A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410468566.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene材料的生物电极及其制备方法，涉及生物电极的技术领域，本发明旨在解决当前生物电极不适用于长时间佩戴监测的问题，本发明包括以下步骤：S1、配置细菌纤维素分散液，通过真空抽滤的方式抽滤到水系滤膜上，待水全部从水系滤膜渗出，得到细菌纤维素骨架；S2、配置MXene分散液，通过真空抽滤的方式抽滤到细菌纤维素骨架上，待水全部从水系滤膜渗出；S3、烘干并剥离水系滤膜，得到基于MXene材料的生物电极。
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公开(公告)号：CN114563112B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210068018.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明提供了一种抗应变干扰型本征可拉伸压力传感阵列及其制备方法，所述本征可拉伸压力传感阵列包括：由上到下依次固定排列的上封装层、图案化电极和柔性基底，所述上封装层与柔性基底为同质低模量的可拉伸材料，所述图案化电极为高模量的可拉伸导电材料，本发明通过器件模量异质结构的设计，使器件面内应变产生重新分布，器件的拉伸形变主要集中在传感阵列之间的低模量区域，而高模量的传感区域并未产生明显的几何形变，从而维持传感区域物理特性的稳定。研制的压力传感阵列能够独立于拉伸应变的干扰准确传感法向压力。该传感阵列具有良好的可穿戴性、适应性与可拓展性，在可穿戴电子器件、人机交互与人工智能等领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN113916416B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111117604.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高渗透性应变非敏感型电子皮肤及其制备方法。所述电子皮肤包括：摩擦起电层、电极层和柔性基底，从上到下依次固定排列；所述摩擦起电层与柔性基底均为可拉伸纳米纤维膜，所述电极为可拉伸纳米纤维导体，与地电极相连接；该电子皮肤内部大量的毛细通道连接成渗透通道，使电子皮肤具备优良的透气性；该电子皮肤基于摩擦静电感应效应，通过外接物体与摩擦层的接触分离产生传感信号，同时，该电子皮肤大的内部阻抗以及在拉伸过程中稳定的开压使其能够独立于机械应变的干扰准确传感法向压力，具有本征应变非敏感特性；该电子皮肤具有高舒适性、高稳定性、自驱动等优点，并且材料体系简单、成本低廉，具有重要的实用前景与商业价值。
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