芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法

    公开(公告)号:CN114050127A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111129988.8

    申请日:2021-09-26

    Abstract: 本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括具有芯腔的陶瓷件,芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区;芯片安装区设有下沉腔,下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面;其中,下沉腔内的为厚金区,无源器件安装区为薄金区;下沉腔的底部设有第一镀金层,无源器件安装区设有第二镀金层,第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉,使其低于薄金部位,从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果,满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求,并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。

    陶瓷外壳及其表面图形加工方法
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113860925A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110994741.6

    申请日:2021-08-27

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷外壳及其表面图形加工方法,属于陶瓷封装技术领域,加工方法包括步骤:在陶瓷外壳的表面加工图形凹槽;在图形凹槽内注入图形胶体,图形胶体与陶瓷外壳的表面具有颜色差;初次检验图形胶体的注入情况,筛选得到满足注入要求的陶瓷外壳;在预设条件下固化筛选得到的图形胶体;二次检验图形胶体的固化情况,筛选得到具有预设图形的陶瓷外壳。本发明提供的陶瓷外壳表面图形加工方法,由于图形胶体和陶瓷外壳具有颜色差,能够通过肉眼或设备清晰地识别加工后的图形,满足使用要求;同时,先加工图形凹槽再注入图形胶体的方式,能够防止图形胶体在点胶过程中发生扩散,图形精度更高,容易得到满足使用要求和识别要求的陶瓷外壳。

    氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN112679220A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011609179.2

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法,属于功率模块用陶瓷覆铜基板技术领域,制备方法包括以下步骤:采用化学溶液对氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行预处理;采用还原气氛对经过预处理的氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行还原处理;按照铜箔片、焊料片、氮化硅陶瓷裸板、焊料片、铜箔片的叠设顺序装夹在工装夹具中;将工装夹具放置于真空炉中;采用AMB工艺使铜箔片与氮化硅陶瓷裸板焊接为一体化基板,得到氮化硅陶瓷覆铜基板。技术效果:可以活化、还原出原材料的新鲜表面,避免由于杂质元素的存在而影响氮化硅陶瓷裸板与焊料片之间的反应润湿,减少覆接面空洞的产生,提高可靠性,满足大功率模块的高可靠封装要求。

    一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法

    公开(公告)号:CN111146150A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911226773.0

    申请日:2019-12-04

    Abstract: 本发明提供了一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括多层陶瓷板层叠而成的陶瓷件、固接于陶瓷件背面的背面电极、固接于陶瓷件顶面的金属墙体,以及固接于金属墙体顶面的封盖;其中,每层陶瓷板上均印刷有金属埋层,且各金属埋层之间以并联方式导通;陶瓷件上设有内部键合指,内部键合指与金属埋层一体成型,且用于与功率金氧半场效晶体管电连接;背面电极与金属埋层电连接;封盖与金属墙体、陶瓷件共同围成用于容纳功率金氧半场效晶体管的气密腔体。本发明提供的一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳,导通电阻低,背面电极焊接所需焊接空间小,能够满足功率金氧半场效晶体管的小型化封装要求。

    一种DPC基板结合有机粘结层的三维异构堆叠基板制备方法

    公开(公告)号:CN118919420A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410990958.3

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明提供了一种DPC基板结合有机粘结层的三维异构堆叠基板制备方法,属于半导体技术领域,包括以下步骤:利用激光在有机粘结层上打多个通孔;对带有通孔的有机粘结层进行超声波清洗;利用金属浆料对机粘结膜上的通孔进行塞孔填充;将N+1片单层DPC基板和N片有机粘结层自上而下交替堆叠,任一有机粘结层的塞孔和相邻两个单层DPC基板均电气连接;利用真空压膜机对堆叠的DPC基板进行真空压合;将压合成型的复合DPC基板升温固化。本发明提供的一种DPC基板结合有机粘结层的三维异构堆叠基板制备方法不仅能够高效、低成本地进行DPC基板的层间粘结,还能实现DPC基板的上下电气互连。

    一种针对陶瓷瓷件的自动检验设备

    公开(公告)号:CN118847519A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410941608.8

    申请日:2024-07-15

    Abstract: 本发明提供了一种针对陶瓷瓷件的自动检验设备,属于瓷件检测的技术领域,其包括机体、送料转盘、上料机构、姿态矫正机构、外观检测组件和分类下料机构;送料转盘转动连接在机体上,并具备用于带动自身转动的驱动部件;上料机构设置在送料转盘一侧,并用于将瓷件逐个送至送料转盘上;姿态矫正机构设置在上料机构一侧,并用于将瓷件在进入到送料转盘时朝前和朝上面调整至指定面;外观检测组件绕送料转盘等距设置有多组,并用于对送料转盘上的瓷件进行拍照检测;分类下料机构设置在送料转盘一侧并位于上料机构背离送料转盘转动方向的一侧,分类下料机构用于将送料转盘上的瓷件按照合格或不合格的类别区分下料。本发明实现了大批量瓷件的快速检测,自动化程度高,提高了检测效果。

    多面气密封装陶瓷外壳、多面封装器件及制备方法

    公开(公告)号:CN118315345A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410407599.4

    申请日:2024-04-07

    Abstract: 本发明提供了一种多面气密封装陶瓷外壳、多面封装器件及制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括:陶瓷体形状为多面体;其中,陶瓷体至少一面设置有共用焊盘,其余的各面均设置封口环,封口环内形成封装芯片的封装腔。本发明提供的陶瓷体为多面体,有共用焊盘的一面作为底面,其余各面均有芯片安装区、键合区、密封环;封装时底面植球或直接焊接到PCB板,侧面可实现多个芯片的安装、键合、密封,实现立体互连,多面集成,各面均可封装芯片并直接实现气密,满足多种类型信号芯片在同一封装体的立体集成,可在缩小器件尺寸的同时将性能发挥到最大,为惯性测量单元、多信号封装单元在提高集成度、轻量化、小型化的升级发展中提供有力封装技术支撑。

    结合有机胶膜增层的HTCC基板的制作方法及封装器件

    公开(公告)号:CN118248560A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410219618.0

    申请日:2024-02-28

    Abstract: 本发明提供了一种结合有机胶膜增层的HTCC基板的制作方法及封装器件,属于电子封装技术领域,包括在HTCC基板的表面压合有机胶膜增层;在固化的有机胶膜增层表面上加工盲孔;在有机胶膜增层表面、盲孔的底部及孔壁均匀沉积金属种子层;在有机胶膜增层表面贴合感光干膜,并经过曝光、显影实现所述感光干膜的图形化,露出需要电镀的图形;对需要电镀的图形上电镀填充铜层,构成金属化图形,铜层同时覆盖盲孔的底部和孔壁;去除表面的感光干膜,刻蚀掉沉积的金属种子层;棕化处理金属化图形表面。本发明提供的制作方法,具有制作工艺简化、绝缘性较好、可多层布线及可靠性好的特点。

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