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公开(公告)号：CN101833239A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010132410.3
申请日：2010-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , Y10T428/24215 , Y10T428/24612 , Y10T428/24917 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN101192529B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710162501.X
申请日：2007-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村荣一
IPC: H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L28/91
Abstract: 本发明的目的在于除去在基板表面露出的氧化膜等的被处理部而不发生所谓的倾斜问题。本发明提供一种除去基板(W)表面的硅氧化膜(100)，制造电容器电极(103)的电容器电极(103)的制造方法，该方法包含：使基板(W)达到第一处理温度，供给含有卤素的气体，使硅氧化膜(100)和含有卤素的气体发生化学反应，使硅氧化膜(100)变质为反应生成物的工序；和使基板(W)达到比第一处理温度高的第二处理温度，除去变质为反应生成物的硅氧化膜(100)的工序。根据本发明，在存储节点孔(101)的内面形成圆筒形状的电容器电极(103)后，在除去电容器电极(103)周围残留的硅氧化膜(100)时，避免发生倾斜。
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公开(公告)号：CN100587920C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710126880.7
申请日：2007-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村荣一
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种能够容易地除去因氢氟酸产生的残留物的基板处理方法。向具有热氧化膜(61)和BPSG膜(63)的晶片(W)供给HF气体，选择性地蚀刻BPSG膜(63)，接着，向晶片(W)供给NH3气体，使由SiO2与氢氟酸反应而生成的残留物(64)H2SiF6与NH3气体反应，产生NH4F和SiF4，并且使NH4F升华。
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公开(公告)号：CN101627469A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007585.2
申请日：2008-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/302 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/32136 , H01L21/76814
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，能够提供减少残留在构成半导体装置的金属上的氟而可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法包括进行除去在形成电极或配线的金属上生成的金属氟化物的处理的氟化物除去工序，其中，该电极或配线是在被处理基板上形成的半导体装置的电极或配线，该半导体装置的制造方法的特征在于：在上述氟化物除去工序中，向上述被处理基板供给气体状态的甲酸，除去上述金属氟化物。
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公开(公告)号：CN100576475C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580046337.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻沢刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 畑村安则 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H01L21/461
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/427 , H01J37/32082 , H01J2237/3342 , H01L21/31138 , H01L22/26
Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393389A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810161240.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/32139
Abstract: 本发明提供不使用复杂图案的中间掩膜也能够高精度且容易地形成非直线状的微细图案的蚀刻掩膜的蚀刻掩膜形成方法、控制程序以及程序存储介质。使用第1中间掩膜，将直线状的曝光图案(10)复制、显影于光致抗蚀剂(11)上、并进行修整，其后以其作为掩膜来蚀刻SiO2层(12)。接着，使用第2中间掩膜，将直线状的曝光图案(15)复制、显影于光致抗蚀剂(14)上，其后对光致抗蚀剂(14)端部从SiO2层(12)凸出的凸出量L进行测定。接着，将光致抗蚀剂(14)的图案修整为规定的粗细、长度，并且使凸出量L为规定量以下，以其作为掩膜对Si3N4层(13)进行蚀刻，从而形成大致L字型的蚀刻掩膜。
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公开(公告)号：CN101099234A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046337.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻沢刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 畑村安则 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H01L21/461
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/427 , H01J37/32082 , H01J2237/3342 , H01L21/31138 , H01L22/26
Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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公开(公告)号：CN1822327A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007478.2
申请日：2006-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种容易控制绝缘膜表面上的表面损伤层和切削残留等的除去量的电子设备的制造方法。形成低介电常数层间绝缘膜(115)，以覆盖形成晶片(W)上的配线(114)的绝缘膜(113)(B)；在该低介电常数层间绝缘膜(115)上加工形成通孔(118)(C)；在低介电常数层间绝缘膜(115)上形成由铜制成的导电膜(121)，同时，将铜填充至通孔(118)中(F)；利用CMP研磨导电膜(121)，露出低介电常数层间绝缘膜(115)(G)；将表面上有切削残留(116)、反应生成物(117)、残渣和疑似SiO2层(124)的低介电常数层间绝缘膜(115)暴露在氨气和氟化氢气体的混合气体氛围中(H)；再将由疑似SiO2层(124)改质的生成物层(123)加热至规定的温度(I)。
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公开(公告)号：CN1822326A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007477.8
申请日：2006-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/0206 , H01L21/31116 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67201 , H01L21/76814 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供一种基板的处理方法，该基板具有含碳的低介电常数绝缘膜，该低介电常数绝缘膜具有碳浓度降低的表面损伤层，其包括：将所述表面损伤层在规定压力下暴露于含有氨和氟化氢的混合气体的气氛中的表面损伤层暴露步骤；以及将暴露于所述混合气体气氛中的表面损伤层加热到规定温度的表面损伤层加热步骤。
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公开(公告)号：CN107078049B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201580049735.6
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。
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