公开(公告)号：CN101827685A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200780101162.2

申请日：2007-11-20

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 桝村寿 ,  北川幸司 ,  森田幸治 ,  岸田敬实 ,  荒川悟

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B41/002 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明是一种研磨头(11)，是针对至少由略圆盘状的中板(12)、以及覆盖该中板的至少底面部与侧面部的橡胶膜(13)所组成，具有由前述中板与前述橡胶膜所包围的空间部(14)，并构成可利用压力调整机构(15)来改变前述空间部的压力，于前述橡胶膜的底面部保持工件(W)的背面，使该工件的表面与贴附在转盘上的研磨布(22)作滑动接触来进行研磨的形态的研磨头，其中前述中板与前述橡胶膜，于前述中板的至少底面部的整体，未接触而具有间隙(14a)。以此，提供一种研磨头等，于橡胶夹头方式的研磨头中，可不受中板的刚性、平面度的影响，而对工件整体施加均匀的研磨荷重。

公开(公告)号：CN1498724A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310102917.4

申请日：2003-10-24

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 守屋纪彦

IPC: B24B37/04

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/345

Abstract: 该研磨机能进给合适的量的研磨料并防止一工件附着在一上研磨板上。该研磨机包括：研磨工件的一上表面的上研磨板，该上研磨板具有多个用于将研磨料进给到工件的研磨料孔；研磨工件的一下表面的一下研磨板；加压并发送研磨料的一研磨料进给单元；将诸研磨料孔分别连接至该研磨料供应单元的多根研磨料通道；分别设置在诸研磨料通道上以对研磨料量流进行控制的多个阀机构；以及用于控制诸所述阀机构的一控制部分。

公开(公告)号：CN1428827A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02158978.X

申请日：2002-12-27

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  不二见株式会社

Inventor： 宫入广雄 ,  稻田安雄 ,  长谷川毅 ,  寺岛优二 ,  酒井健儿 ,  北村忠浩 ,  梅田刚宏

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C23F1/14

CPC classification number: B24B37/30 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H05K3/26 ,  H05K3/383 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/121

Abstract: 磨光一基底的铜层的方法能够提高磨削率等。该方法包括下列步骤：将一基底供应到在一磨光板上的一磨光垫的上，并使铜层面对磨光垫；借助一压头用一背垫将基底压到磨光垫上；相对于磨光板相对地转动压头，并将软膏供应到在磨光垫上。背垫是由Asker C硬度为75－95、压缩率为10％或更小的材料制成，磨光软膏包括用来螯合铜的螯合剂、用来蚀刻铜层表面的蚀刻剂、用来氧化铜层表面的氧化剂以及水。

公开(公告)号：CN114808126A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111676694.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 干川圭吾 ,  太子敏则 ,  小林拓实 ,  大塚美雄

IPC: C30B29/16 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体的制造装置以及使用该装置的氧化镓晶体的制造方法，该装置是应用了垂直布里奇曼法的晶体制造装置，其能够将炉内空间维持在特定温度，防止因坩埚的骤冷所致的晶体品质的降低，将氧化镓晶体稳定地取出到装置外。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)具备：由耐热材料(14a)构成的炉主体(14)；坩埚支承轴(16)，其沿上下方向贯通炉主体(14)的底部而在炉主体(14)内延伸设置，构成为上下移动自如；坩埚(22)，其配置在坩埚支承轴(16)上，存储氧化镓晶体的原料；主体加热器(34)，其配设在坩埚(22)的周围，对坩埚(22)进行加热；以及缓冷室(36)，其与炉主体(14)的炉内空间(15)连通地设置在炉主体(14)的下方，将坩埚(22)缓慢冷却。

公开(公告)号：CN106944929B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201710002329.5

申请日：2017-01-03

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  学校法人金泽工业大学

Inventor： 澁谷和孝 ,  柳泽润 ,  中村由夫 ,  畝田道雄 ,  石川宪一

IPC: B24B53/017 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供工件研磨方法和研磨垫的修整方法。该工件研磨方法能够正确地把握研磨垫的表面状态并能够进行高精度的修整从而能够进行高精度的研磨。本发明的工件研磨方法的特征在于，具备下述工序：预先取得相关数据的工序，其中，所述相关数据表示以多个阶段的修整条件进行修整时的研磨垫的表面性状、与利用以该多个阶段各自的修整条件进行了修整后的研磨垫来研磨工件时的工件的研磨效果之间的相关关系；修整工序，根据相关数据推算出能够实现目标研磨效果的假想修整条件，并以该推算出的假想修整条件进行研磨垫的修整；对工件进行研磨的研磨工序；对工件研磨后的研磨垫进行清洗的工序；以及对该清洗后的研磨垫的表面性状进行计测的工序。

公开(公告)号：CN107303653B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710252809.7

申请日：2017-04-18

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 澁谷和孝 ,  中村由夫

IPC: B24C5/04

Abstract: 本发明提供一种喷嘴和工件研磨装置，能够减少液体中所含的活性化气体的灭活量，并且能够减少活性化气体生成时的电力损失。喷嘴(1)具备：液体流路(12)，其使液体流通；气体流路(14)，其使气体流通，并且与液体流路连通而使该气体送出到该液体流路内；和等离子体产生机构(20)，其在从气体流路送出到液体流路内的所述气体的内部产生等离子体，等离子体产生机构具有：第一电极(22)，其露出地配设在液体流路内；第二电极(24)，其不露出于液体流路内，并且露出地配设在气体流路内；和电源(26)，其向第一电极与第二电极之间施加规定电压，在使产生了等离子体的所述气体以规定直径的气泡混入到液体中的状态下使该液体排出。

公开(公告)号：CN107107308B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201580059114.6

申请日：2015-09-24

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 上野淳一 ,  佐藤三千登 ,  石井薫 ,  岸田敬实 ,  金井洋介 ,  中西勇矢

IPC: B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其具备：两个以上的研磨头，用以保持晶片；可旋转的平台，贴附有用以研磨前述晶片的研磨布；平台驱动机构，使该平台旋转；以及，两个以上的晶片检测传感器，在研磨中检测前述晶片从前述研磨头露出的情况；所述研磨装置的特征在于：前述晶片检测传感器，相对于各个前述研磨头，被设置在前述平台的旋转方向的下游侧且在前述研磨头的外周部的周边的上方。由此，提供一种研磨装置，能够在研磨中更早(更快)检测到晶片从研磨头露出的情况，以防止晶片的破损。

公开(公告)号：CN108340281A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810058829.5

申请日：2018-01-22

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  学校法人金泽工业大学

Inventor： 澁谷和孝 ,  中村由夫 ,  畝田道雄 ,  石川宪一

IPC: B24B53/017 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/107 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供工件研磨方法和工件研磨装置，其能够自动制定研磨条件。工件研磨装置具有：修整部，其修整研磨垫的表面；表面性状计测部，其计测研磨垫的表面性状；研磨结果计测部，其计测工件的研磨结果；存储部，其存储通过人工智能来学习如下的相关关系所得到的相关数据，该相关关系为修整条件数据、通过表面性状计测部计测出的研磨垫的表面性状数据、以及对工件进行研磨的情况下的研磨结果数据的相关关系；以及输入部，其输入作为目标的研磨结果，所述人工智能进行如下处理：第1运算处理，根据所述相关数据逆向推断出与作为目标的研磨结果对应的研磨垫的表面性状；和第2运算处理，根据逆向推断出的研磨垫的表面性状导出对应的修整条件。

公开(公告)号：CN103854991B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN107304481A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710256274.0

申请日：2017-04-19

Applicant: 国立大学法人信州大学 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 干川圭吾 ,  小林拓实 ,  大叶悦子 ,  柳泽润

IPC: C30B29/16 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02625 ,  C30B11/001 ,  C30B11/006

Abstract: 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。