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公开(公告)号：CN107107308B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201580059114.6
申请日：2015-09-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其具备：两个以上的研磨头，用以保持晶片；可旋转的平台，贴附有用以研磨前述晶片的研磨布；平台驱动机构，使该平台旋转；以及，两个以上的晶片检测传感器，在研磨中检测前述晶片从前述研磨头露出的情况；所述研磨装置的特征在于：前述晶片检测传感器，相对于各个前述研磨头，被设置在前述平台的旋转方向的下游侧且在前述研磨头的外周部的周边的上方。由此，提供一种研磨装置，能够在研磨中更早(更快)检测到晶片从研磨头露出的情况，以防止晶片的破损。
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公开(公告)号：CN107107308A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059114.6
申请日：2015-09-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其具备：两个以上的研磨头，用以保持晶片；可旋转的平台，贴附有用以研磨前述晶片的研磨布；平台驱动机构，使该平台旋转；以及，两个以上的晶片检测传感器，在研磨中检测前述晶片从前述研磨头露出的情况；所述研磨装置的特征在于：前述晶片检测传感器，相对于各个前述研磨头，被设置在前述平台的旋转方向的下游侧且在前述研磨头的外周部的周边的上方。由此，提供一种研磨装置，能够在研磨中更早(更快)检测到晶片从研磨头露出的情况，以防止晶片的破损。
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公开(公告)号：CN107073682B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580057427.8
申请日：2015-10-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种平台搬运台车，其用以搬运从研磨装置卸除的平台、或要安装至前述研磨装置上的前述平台，所述平台搬运台车的特征在于，具备：平台保持部，用以保持前述平台；支持台，从下侧来支持该平台保持部；升降机构，实行前述平台保持部的升降；以及，倾斜机构，使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜；并且，能够在利用前述倾斜机构来使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜的状态下，搬运前述平台。由此，提供一种平台搬运台车，其能够缩小搬运平台时所需的宽度，因而能够缩小用以搬运平台的通路的宽度。
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公开(公告)号：CN107921605A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047958.3
申请日：2016-08-03
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B37/12 , B24B57/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/107 , B24B37/00 , B24B37/12 , B24B57/02 , H01L21/304 , Y02P70/177
Abstract: 本发明的研磨装置具备：平台，贴附有研磨布；研磨头，用以保持晶圆；槽体，用以储藏研磨剂；研磨剂供给机构，将储藏在槽体内的研磨剂供给至研磨布；废液承接器，回收自平台上流下的研磨剂；以及循环机构，被连接至废液承接器，将利用废液承接器所回收的研磨剂供给至槽体内；并且，利用研磨剂供给机构来将研磨剂自槽体内供给至研磨布，并利用废液承接器来回收自平台上流下的已使用后的研磨剂，并且将已回收后的研磨剂供给至槽体内，由此，一边使研磨剂循环，一边使利用研磨头所保持的晶圆的表面与研磨布作滑动接触来进行研磨；其中，所述研磨装置的特征在于，废液承接器被固定在平台上。由此，提供一种研磨装置，当回收再利用的研磨剂时，其能抑制与其他溶液的混合而抑制回收效率的恶化，而且维修也容易。
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公开(公告)号：CN107073675B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201580057515.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其是分度方式的研磨装置，所述研磨装置具备：研磨头，其用以保持晶片；多数个平台，其贴附有研磨布且所述研磨布用以研磨前述晶片；以及，装载和卸载台，其用以将前述晶片安装至前述研磨头上、或从前述研磨头剥离；并且，根据使前述研磨头回转移动，来切换在前述研磨头上所保持的用于前述晶片的研磨的前述平台，并进行前述晶片的研磨；其中，所述研磨装置的特征在于：具有平台上下移动机构，所述平台上下移动机构能够使前述平台上下移动。由此，提供一种研磨装置，其能够使在研磨中将力矩荷重施加至研磨头上时所产生的位移量变小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107073675A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057515.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其是分度方式的研磨装置，所述研磨装置具备：研磨头，其用以保持晶片；多数个平台，其贴附有研磨布且所述研磨布用以研磨前述晶片；以及，装载和卸载台，其用以将前述晶片安装至前述研磨头上、或从前述研磨头剥离；并且，根据使前述研磨头回转移动，来切换在前述研磨头上所保持的用于前述晶片的研磨的前述平台，并进行前述晶片的研磨；其中，所述研磨装置的特征在于：具有平台上下移动机构，所述平台上下移动机构能够使前述平台上下移动。由此，提供一种研磨装置，其能够使在研磨中将力矩荷重施加至研磨头上时所产生的位移量变小。
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公开(公告)号：CN107073682A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057427.8
申请日：2015-10-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种平台搬运台车，其用以搬运从研磨装置卸除的平台、或要安装至前述研磨装置上的前述平台，所述平台搬运台车的特征在于，具备：平台保持部，用以保持前述平台；支持台，从下侧来支持该平台保持部；升降机构，实行前述平台保持部的升降；以及，倾斜机构，使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜；并且，能够在利用前述倾斜机构来使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜的状态下，搬运前述平台。由此，提供一种平台搬运台车，其能够缩小搬运平台时所需的宽度，因而能够缩小用以搬运平台的通路的宽度。
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公开(公告)号：CN106457508B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580025755.X
申请日：2015-05-14
Applicant: 富士纺控股株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625
Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。
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公开(公告)号：CN106457508A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025755.X
申请日：2015-05-14
Applicant: 富士纺控股株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625
Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。
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公开(公告)号：CN103493184B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280020389.5
申请日：2012-04-03
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 佐藤三千登
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L29/34 , H01L21/0201 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片，其在研磨时于外周形成有塌边，其特征在于，在前述半导体晶片的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶片的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶片的中心是凸出的形状，前述半导体晶片的外周塌边量是100nm以下，并且，前述外周塌边开始位置，是从前述半导体晶片的外周端往中心侧20mm以上的位置、或比作为ESFQR的测定对象的前述半导体晶片的外周部更靠近中心侧的位置。本发明的目的在于由此提供一种半导体晶片及其制造方法，该半导体晶片在相同的加工条件下，能够同时满足SFQR、ESFQR、ZDD、ROA、GBIR、SBIR等二种以上的平坦度指标。
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