公开(公告)号：CN106457508B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。

公开(公告)号：CN106457508A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。