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公开(公告)号：CN110444605A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201811320109.8
申请日：2018-11-07
IPC: H01L29/872 , H01L21/04
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括设置在衬底的第一表面处的n-型层；设置在n-型层顶部处的p-型区域和p+型区域；设置在p-型区域和p+型区域上的第一电极；以及设置在衬底的第二表面处的第二电极，其中，第一电极包括设置在p-型区域上的第一金属层和设置在第一金属层上的第二金属层，并且所述第一金属层与p-型区域连续接触。
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公开(公告)号：CN109713039A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201711288456.2
申请日：2017-12-07
Inventor： 千大焕
Abstract: 本发明涉及半导体器件，其包括：n+型碳化硅衬底、n-型层、第一沟槽、p型区域、p+型区域、n+型区域、栅电极、源电极和漏电极。所述半导体器件可以包括多个单位单元，其中，所述多个单位单元中的一个可以包括源电极和p+型区域彼此接触的接触部分、在平面图中设置在接触部分的上部和下部的外部部分以及将接触部分连接至外部部分的连接部分；在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度等于在平面图中在外部部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度，且在平面图中在连接部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度小于在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度。
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公开(公告)号：CN108615730A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710755153.0
申请日：2017-08-29
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0445 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7839 , H01L29/872 , H01L51/105 , H01L27/0727 , H01L21/8213
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件可以包括：n-型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p-型区域、p型区域、n+型区域和p+型区域，各设置在n-型层的上部；栅电极和源电极，各设置在n-型层上并彼此绝缘；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，源电极与p-型区域、n+型区域和p+型区域接触，并且源电极可以包括欧姆结区域和肖特基结区域，所述欧姆结区域设置在源电极与n+型区域的接触部分处以及源极区域与p+型区域的接触部分处，而所述肖特基结区域设置在源电极与p-型区域的接触部分处。
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公开(公告)号：CN103872147B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201310661032.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/66143 , H01L29/8611
Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括n‑型外延层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面，多个n型支柱区域，设置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n‑型外延层中，多个p+区域，设置在n‑型外延层的表面且与n型支柱区域分离，肖特基电极，设置在n‑型外延层和p+区域上，以及欧姆电极，设置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱区域的掺杂密度大于n‑型外延层的掺杂密度。
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公开(公告)号：CN107579109A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201611031572.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 现代自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/047 , H01L21/26586 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n-型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n-型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465339B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310757104.2
申请日：2013-12-27
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/02104 , H01L21/0475 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p‑型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p‑型外延层，形成在n‑型外延层上。
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公开(公告)号：CN106876461A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610474194.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L21/047 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66666
Abstract: 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。
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公开(公告)号：CN105632950A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510600204.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , B23K1/19 , B23K20/02 , B23K20/026 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K2103/08 , B23K2103/18 , B23K2103/52 , B23K2103/56 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27332 , H01L2224/2741 , H01L2224/27848 , H01L2224/29109 , H01L2224/29139 , H01L2224/29309 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32507 , H01L2224/83097 , H01L2224/832 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/83906
Abstract: 一种利用银膏进行粘结的方法，包括：将银膏涂覆在半导体器件或者基板上。该银膏包含银和铟。将半导体放置在基板上。对银膏进行加热以形成粘结层。半导体器件与基板通过粘结层彼此粘结。铟以40摩尔％或者更少的摩尔％被包含在银膏中。
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公开(公告)号：CN105609432A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510530833.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K35/025 , B23K35/264 , B23K35/3006 , B23K2101/42 , B23K2103/166 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/13294 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/32505 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81825 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/10272 , H01L2924/201 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H05K3/341 , H05K3/3463 , H05K2201/10166 , H05K2203/1131 , H01L2224/29388 , H01L2924/00014 , H01L2224/13388 , H01L2924/00012 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139
Abstract: 本申请公开一种使用银浆料进行结合的方法，该方法包括使用银浆料涂覆半导体器件或基板。该银浆料包含多个银颗粒和多个铋颗粒。该方法还包括将半导体器件布置在基板上以及通过加热银浆料来形成结合层，其中半导体器件和基板通过结合层相互结合。
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公开(公告)号：CN104752505A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410415577.9
申请日：2014-08-21
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/086 , H01L29/1608 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66477 , H01L29/7825
Abstract: 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n-型外延层。
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