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公开(公告)号：CN103786091A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310513098.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/345 , H01L21/67051 , H01L21/67219 , H01L21/304 , H01L21/67092
Abstract: 一种研磨装置，具有：研磨台，其具有研磨面；顶环(31A)，其在研磨台上方的研磨位置、研磨台侧方位置以及清洗位置之间移动自如，且由保持环(40)围绕基板的外周部而将该基板保持在顶环的下表面并向研磨面按压；以及清洗部(100)，其位于清洗位置并向旋转中的顶环(31A)的下表面喷射清洗液从而一起清洗由该顶环(31A)所保持的基板(W)与顶环(31A)的下表面。采用本发明，能高效地一起清洗由顶环的下表面所保持的基板与该顶环的下表面，并可使研磨性能稳定化，使清洗组件的清洗性能稳定化。
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公开(公告)号：CN102825020A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210193164.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 提供一种基板处理方法，其能够容易地和最佳地控制流体喷嘴的移动速度，同时考虑到与诸如处理时间（处理量）的因素的关系，从而能够在基板表面的整个表面上均匀地进行例如清洁或者干燥的处理。该处理方法包括，当将流体喷嘴从旋转基板的中心移动到外周的同时，从流体喷嘴朝旋转的基板表面喷射至少一种流体，以处理该表面。流体喷嘴以恒定的初始移动速度被从基板的中心移动到预定点。流体喷嘴随后以移动速度V（r）从预定点移动，该V（r）满足以下关系式：V(r)×rα=C(常数),其中，V（r）表示，当流体喷嘴经过与基板表面上且与所述基板的中心相距距离“r”的位置相对应的位置时，流体喷嘴的移动速度，和α表示幂指数。
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公开(公告)号：CN100355021C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03812994.9
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , C23C18/00 , C25C7/00 , C25D5/00
CPC classification number: H01L21/67051 , C23C18/1619 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/02
Abstract: 一种衬底处理设备，具有处理槽(10)、罩(40)、喷嘴(60)和衬底头(80)。处理槽(10)用于在容纳于其中的镀液(Q)中对衬底(W)进行镀膜；罩(40)用于有选择地打开和关闭该处理槽(10)的开口(11)；喷嘴(60)安装在罩(40)的上表面；衬底头(80)用于吸引衬底(W)的背面以夹持衬底(W)。随着罩(40)从处理槽(10)的开口(11)移开，衬底头(80)降低以把衬底(W)浸在镀液(Q)内，用于对衬底(W)进行镀膜。当衬底头(80)提升同时处理槽(10)开口(11)由罩(40)关闭时，衬底(W)通过喷嘴(60)清洁。
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公开(公告)号：CN113043158B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011560759.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 一种清洗装置、研磨装置，清洗装置具备：清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在清洗槽的内侧，保持晶片并使晶片旋转；清洗部件，该清洗部件与晶片的表面接触并清洗晶片的表面，能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，其轴线方向的长度比晶片的半径长；摆动机构，该摆动机构使清洗部件绕着位于清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使清洗部件从晶片的外侧的避让位置移动到晶片的正上方的清洗位置；第二清洗构件，该第二清洗构件清洗晶片的表面；以及第二摆动机构，该第二摆动机构使第二清洗构件绕着位于清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动并通过晶片的中心的正上方。
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公开(公告)号：CN115699261A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040989.7
申请日：2021-05-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种处理基板的基板处理装置。基板处理装置(1)具备控制部(90)。控制部(90)使基板(W)以第一速度旋转后，使基板(W)以第二速度旋转。控制部(90)使基板(W)以第二速度旋转后，使基板以第三速度旋转，同时从干燥流体喷嘴(30)持续规定时间地供给干燥流体至基板(W)。控制部(90)继续供给来自干燥流体喷嘴(30)的干燥流体，而且使干燥流体喷嘴(30)从基板(W)的中心部朝向基板(W)的周缘部移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609461B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201510772413.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种改良后的基板保持装置，即使对弹簧施加较大的离心力，也能够使弹簧的变形为最小，其中，该弹簧用于对支承基板的支柱施力。基板保持装置具有：支柱(2)，其在轴向上移动自如；夹头(3)，其设置于支柱(2)，夹持基板W的周缘部；弹簧(30)，其对支柱(2)向该支柱(2)的轴向施力；第1构造体(31)，其限制弹簧(30)的上侧部位向与轴向垂直的方向移动；以及第2构造体(33)，其限制弹簧(30)的下侧部位向与轴向垂直的方向移动。
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公开(公告)号：CN103786091B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201310513098.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/345 , H01L21/67051 , H01L21/67219
Abstract: 一种研磨装置，具有：研磨台，其具有研磨面；顶环(31A)，其在研磨台上方的研磨位置、研磨台侧方位置以及清洗位置之间移动自如，且由保持环(40)围绕基板的外周部而将该基板保持在顶环的下表面并向研磨面按压；以及清洗部(100)，其位于清洗位置并向旋转中的顶环(31A)的下表面喷射清洗液从而一起清洗由该顶环(31A)所保持的基板(W)与顶环(31A)的下表面。采用本发明，能高效地一起清洗由顶环的下表面所保持的基板与该顶环的下表面，并可使研磨性能稳定化，使清洗组件的清洗性能稳定化。
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公开(公告)号：CN106165067A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016524.2
申请日：2015-03-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。本发明的基板处理装置的特征在于，具备：第一清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第一清洗单元(52、54)；第二清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第二清洗单元(60、62)；第一纯水供给配管(120)，将纯水供给至第一清洗路径；及第二纯水供给配管(180)，将纯水供给至第二清洗路径。
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公开(公告)号：CN105609461A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510772413.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种改良后的基板保持装置，即使对弹簧施加较大的离心力，也能够使弹簧的变形为最小，其中，该弹簧用于对支承基板的支柱施力。基板保持装置具有：支柱(2)，其在轴向上移动自如；夹头(3)，其设置于支柱(2)，夹持基板W的周缘部；弹簧(30)，其对支柱(2)向该支柱(2)的轴向施力；第1构造体(31)，其限制弹簧(30)的上侧部位向与轴向垂直的方向移动；以及第2构造体(33)，其限制弹簧(30)的下侧部位向与轴向垂直的方向移动。
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公开(公告)号：CN103928366A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410010232.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , Y10T279/26
Abstract: 本发明提供一种能够可靠地握持基板的基板握持装置。基板握持装置具有：举升多个支柱（2）的升降机构（20）、和分别配置在支柱（2）上的基板保持部（3）及基板引导部件（50）。支柱（2）具有使基板保持部（3）及基板引导部件（50）彼此相对移动的相对移动机构。该相对移动机构在支柱（2）上升时使基板保持部（3）向基板保持部（3）释放基板（W）的周缘部的方向移动，并且使基板引导部件（50）相对于基板保持部（3）上升，在支柱（2）下降时使基板保持部（3）向基板保持部（3）握持基板（W）的周缘部的方向移动，并且使基板引导部件（50）相对于基板保持部（3）下降。
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