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公开(公告)号：CN112091809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010986718.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1)；以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。
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公开(公告)号：CN106206374B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201610382143.2
申请日：2016-06-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。
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公开(公告)号：CN105479324A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510640665.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600-1、600-2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502-1)的第1抛光头(500-1)；以及安装有比第1抛光垫(502-1)直径小的第2抛光垫(502-2)的与第1抛光头(500-1)不同的第2抛光头(500-2)。
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公开(公告)号：CN105609461B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201510772413.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种改良后的基板保持装置，即使对弹簧施加较大的离心力，也能够使弹簧的变形为最小，其中，该弹簧用于对支承基板的支柱施力。基板保持装置具有：支柱(2)，其在轴向上移动自如；夹头(3)，其设置于支柱(2)，夹持基板W的周缘部；弹簧(30)，其对支柱(2)向该支柱(2)的轴向施力；第1构造体(31)，其限制弹簧(30)的上侧部位向与轴向垂直的方向移动；以及第2构造体(33)，其限制弹簧(30)的下侧部位向与轴向垂直的方向移动。
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公开(公告)号：CN109075053B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780026476.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制第一阀和第二阀，气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，控制部以从成为第一阀打开并且无法从气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭第一阀，在关闭第一阀之后关闭第二阀的方式进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609461A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510772413.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种改良后的基板保持装置，即使对弹簧施加较大的离心力，也能够使弹簧的变形为最小，其中，该弹簧用于对支承基板的支柱施力。基板保持装置具有：支柱(2)，其在轴向上移动自如；夹头(3)，其设置于支柱(2)，夹持基板W的周缘部；弹簧(30)，其对支柱(2)向该支柱(2)的轴向施力；第1构造体(31)，其限制弹簧(30)的上侧部位向与轴向垂直的方向移动；以及第2构造体(33)，其限制弹簧(30)的下侧部位向与轴向垂直的方向移动。
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公开(公告)号：CN108183081B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711449690.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及处理基板的制造方法，基板处理装置具有：基板旋转装置(10、20)，其使基板(W)保持并旋转；清洗装置(41)，其与通过基板旋转装置而以规定的旋转速度旋转的基板接触而对基板(W)进行清洗；移动装置(42)，其使清洗装置(41)在接触基板的清洗位置(P3)与离开基板的离开位置(P2)之间移动，以及控制部(64)。控制部将移动装置(42)控制成，在由基板旋转装置(10、20)保持的基板(W)到达规定的旋转速度前使处于离开位置的清洗装置(41)向清洗位置(P3)移动，同时在基板到达规定旋转速度后使清洗装置到达清洗位置(P3)。采用本发明，可提高基板清洗工序中的处理量。
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公开(公告)号：CN105382677B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510532601.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/20 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN109075053A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026476.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制第一阀和第二阀，气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，控制部以从成为第一阀打开并且无法从气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭第一阀，在关闭第一阀之后关闭第二阀的方式进行控制。
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公开(公告)号：CN105382677A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510532601.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/20 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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