公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN112286436B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202011162772.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  桑原秀明 ,  大力浩二

IPC: G06F3/04883 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供一种耗电量少的数据处理装置的驱动方法。数据处理装置包括检测出与其接近或接触的物体诸如手指或手掌的柔性位置输入部。该柔性位置输入部与显示部重叠，并包括第一区域、与第一区域对置的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的第三区域。在使用者握持第一区域或第二区域的一部分一定时间的情况下，选择性地停止对该部分供应图像信号。或者，选择性地停止该部分中的检测。

公开(公告)号：CN105723315A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480061980.4

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  桑原秀明 ,  大力浩二

IPC: G06F3/0488 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供一种耗电量少的数据处理装置。数据处理装置包括检测出与其接近或接触的物体诸如手指或手掌的柔性位置输入部。该柔性位置输入部与显示部重叠，并包括第一区域、与第一区域对置的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的第三区域。在使用者握持第一区域或第二区域的一部分一定时间的情况下，选择性地停止对该部分供应图像信号。或者，选择性地停止该部分中的检测。

公开(公告)号：CN102007586B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN101378082B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810212476.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN101369540B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810210492.1

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。

公开(公告)号：CN1976010B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200610163786.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田村友子 ,  青木智幸 ,  鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214

Abstract: 第一半导体集成电路和第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻，通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后，这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离，以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此，可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。

公开(公告)号：CN1873932B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200610087709.5

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荻田香 ,  田村友子 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/13 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。

公开(公告)号：CN1976005B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200610163794.9

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木智幸 ,  田村友子 ,  鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/78 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法。在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、多个第二半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个相邻、多个第三半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个和该多个第二半导体集成电路的一个相邻、以及多个第四半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个、该多个第二半导体集成电路的一个、和该多个第三半导体集成电路的一个相邻。形成第一保护层以覆盖第一半导体集成电路和第一半导体集成电路外围的第二衬底的表面。分割第二衬底和保护层以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底留在第一半导体集成电路的外围。

公开(公告)号：CN100573881C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610051420.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  大力浩二 ,  冈崎奖 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。