公开(公告)号：CN101285537B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200810092800.5

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC: F16K31/00 ,  F16K31/12 ,  F16K7/00 ,  F16K47/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

Abstract: 本发明提供一种流体通路的无水击打开方法以及药液供给方法，无论流体压力的大小如何均能够使上游侧流体通路中不产生水击而迅速且可靠地将流体通路打开。本发明的无水击打开方法利用设置在管路内部压力大致恒定的流体通路中的致动器动作式阀，将流体通路打开，向下游侧流体通路供给流体，首先将提供给所述致动器的驱动用输入增大或减小到规定的设定值而使阀芯向开阀方向移动，将提供给致动器的驱动用输入短时间保持在所述设定值上，之后，进一步增大或减小该驱动用输入而使阀变成全开状态，从而在不产生水击的情况下将流体通路打开。

公开(公告)号：CN101567388A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100521115C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100447975C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN100447961C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480014164.4

申请日：2004-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行形成在所述被处理基板上的衬底膜的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。

公开(公告)号：CN100352016C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1945800A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610087184.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1306566C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02807490.4

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1926714A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042366.X

申请日：2004-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  后藤尚久

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤尚久 ,  久我宣裕 ,  广江昭彦

IPC: H01P5/12

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种分配器(30)，包括连接到微波振荡器(20)的方形波导管(31)和具有多个在窄壁(41B)中形成的开口(43)的方形波导管(41)。方形波导管(31)是中空的。相对介电常数为εr的波延迟部件(53)被配置在方形波导管(41)中。两个方形波导管(31、41)的窄壁(31A、41A)互相接触，并且两个波导管(31、41)通过其相互连通的连通孔(32)形成于窄壁(31A、41A)中。即使连通孔(32)的宽度减小，两个波导管(31、41)的宽度也不在其连接部分处变窄。由此，可抑制能够通过连接部分的频带变窄。因此，能够减小在输入到分配器(30)的电磁波的频率改变时出现的反射损失。

公开(公告)号：CN1279582C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200410003341.0

申请日：2000-07-21

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  皆见幸男 ,  川田幸司 ,  米华克典 ,  本井傅晃央 ,  平井畅 ,  森本明弘 ,  成相敏朗 ,  平尾圭司 ,  田口将暖 ,  中村修

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B01J3/006 ,  B01J7/00 ,  B01J12/007 ,  C01B5/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置，该装置减压供给(例如数托)水分气体，较高地保持水分发生用反应炉的内压，这样，可防止氢的自燃，本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉，是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却，便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此，本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于：由水分发生用反应炉和减压机构构成，其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体；减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧，水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧，与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成，利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射，使反应炉的温度降低。并且，对散热用散热片进行氧化铝膜加工，使热辐射率大幅度提高，而使散热效率进一步提高。