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公开(公告)号：CN109790031A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061338.X
申请日：2017-08-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C01B32/158
CPC classification number: C01B32/152 , C01B32/158
Abstract: 本发明提供一种在包括高温条件在内的宽泛温度范围内夹持力优异的碳纳米管集合体。本发明的碳纳米管集合体为由多个碳纳米管构成的片状的碳纳米管集合体，在该碳纳米管集合体的表面及/或背面接触扫描探针显微镜的探针的状态下，使该探针进行扫描而取得摩擦曲线，关于此时的FFM差分电压，210℃时的FFM差分电压相对于25℃时的FFM差分电压之比为0.3～5。
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公开(公告)号：CN109641421A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780049406.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B9/00 , B25J15/00 , B65G49/07 , B82Y30/00 , H01L21/677
CPC classification number: C09J7/38 , B25J15/00 , B25J15/008 , B32B9/00 , B65G49/07 , B82Y30/00 , C09J2203/326 , C09J2400/12 , H01L21/677 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供一种粘合性结构体，其是具备形成于基材上的碳纳米管聚集体的粘合性结构体，构成该碳纳米管聚集体的碳纳米管不易脱离。本发明的粘合性结构体具备基材、中间层和碳纳米管聚集体层，该碳纳米管聚集体由多个碳纳米管聚集体构成，该中间层为包含该碳纳米管和固定剂的层，该中间层的厚度为100nm以上。
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公开(公告)号：CN103122124B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210342404.X
申请日：2012-09-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L63/00 , C08L61/06 , C08L23/20 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08K3/26 , C08K3/28 , C08K3/36 , C08K3/34 , C08K5/09 , H01L23/29
CPC classification number: H01L23/295 , C08K3/013 , C08K3/014 , C08K3/26 , C08K3/36 , C08K5/0025 , C08K5/09 , C08L23/30 , C08L61/06 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , C08L91/06 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装用环氧树脂组合物和使用该组合物的半导体装置，所述环氧树脂组合物包含如下成分(A)至(F)：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)固化促进剂；(D)无机填料；(E)水滑石化合物；和(F)含羧基的蜡，该蜡具有10至100mg KOH/g的酸值。
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公开(公告)号：CN105938817A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610118460.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。本发明的解决手段在于，一种中空型电子器件密封用片，通过下述步骤的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去进入量X1后的值为50μm以下。在将模拟芯片埋入中空型电子器件密封用片的样品的步骤后，测定构成样品的树脂向模拟芯片与玻璃基板之间的中空部的进入量X1的步骤、使样品热固化而得到密封体样品的步骤和测定树脂向密封体样品中的中空部的进入量Y1的步骤。
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公开(公告)号：CN105826278A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610040558.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供一种中空型电子器件密封用片，其可得到能够将中空型电子器件适宜地埋入热固化性密封用片并抑制了热固化性密封用片的上表面的凹凸的中空型电子器件封装件。一种中空型电子器件密封用片，其具有隔片和热固化性密封用片，隔片的厚度(mm)与25℃时的拉伸弹性模量(N/mm2)之积为200N/mm以上，热固化性密封用片在50℃～100℃范围内的最低熔融粘度为100kPa·s以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101679668A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017343.1
申请日：2008-05-23
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , B29C55/005 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29K2023/00 , B29K2023/0683 , B29K2105/04 , B29L2007/002 , C08J7/123 , C08J2323/02 , C08J2323/06 , C08J2423/16 , C08J2423/26 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/052
Abstract: 本发明的多孔膜的制造方法，其中，将至少含有聚烯烃的树脂片进行拉伸处理来制作拉伸膜，之后对该拉伸膜照射真空紫外线。本发明的非水电解质电池用隔膜包含通过所述本发明的制造方法得到的多孔膜。本发明的非水电解质电池具有所述本发明的非水电解质电池用隔膜。
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公开(公告)号：CN113861540B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110709476.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其具备基材片、以及层叠于该基材片且含有金属颗粒的含金属颗粒层，前述基材片具有与前述含金属颗粒层接触的接触面，通过纳米压痕法测定前述接触面而求出的前述基材片在23℃下的杨氏模量为0.01～10GPa。
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公开(公告)号：CN112385023A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980043363.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/301 , H01L21/67
Abstract: 本制造方法包括如下的工序：对于排列在加工用带(T1)上的多个芯片(C)，粘贴具有基材(B)与烧结接合用片(10)的层叠结构的片体(X)中的烧结接合用片(10)侧，然后将基材B自烧结接合用片(10)剥离的工序；将加工用带(T1)上的芯片(C)与烧结接合用片(10)中的与该芯片(C)密合的部分一同拾取，得到带有烧结接合用材料层的芯片(C)的工序；将带有烧结接合用材料层的芯片(C)借助该烧结接合用材料层(11)而临时固定于基板的工序；以及，由夹设在临时固定的芯片(C)与基板之间的烧结接合用材料层(11)，历经加热过程而形成烧结层，将该芯片(C)接合于基板的工序。本半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。
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