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公开(公告)号：CN1215501A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN97193631.5
申请日：1997-02-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/50 , C09J179/00
CPC classification number: H01L23/564 , C09J179/00 , H01L21/565 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的特征在于:在具有通过树脂密封的半导体元件的半导体器件中,将一张金属箔通过粘和剂粘附到半导体元件安置于其上的引线框架的底部,而将另一张金属箔固定到半导体元件一侧的密封树脂的外表面上。这种结构使半导体器件不会发生翘曲现象。此外,没有翘曲以及位于半导体器件上下表面上的金属箔的效果提供了一种具有优异的散热性、极少受吸潮性影响以及高的耐热应力的可靠的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1498744A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102672.5
申请日：2003-10-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , B29C43/222 , B29C43/48 , B29C48/001 , B29C48/0012 , B29C48/0018 , B29C48/08 , B29C55/005 , B29C55/18 , B29K2021/00 , B29K2023/00 , B29K2105/04 , B29K2995/0065 , B29L2007/008 , B29L2031/7146 , C08J2323/04
Abstract: 一种生产多孔膜的方法，该多孔膜具有高孔隙率和优异的透气性，即使它们具有小的膜厚度和高强度，以及生产电池隔板的方法。生产多孔膜的方法包括如下步骤：熔体捏合包括聚烯烃树脂、热塑性弹性体和溶剂的组合物；挤出和冷却熔体捏合的材料成片模塑件；辊压片模塑件；和拉伸和脱溶剂化辊压的片模塑件，其中在一定条件下进行辊压使得在辊压之后，由如下公式(1)计算的片模塑件的弹性恢复率为20％或更小：弹性恢复率(r)(％)＝100×(t－t0)/t0(1)其中t0表示在辊压中片辊压部分的最小间隙，和t表示在压力释放之后在弹性恢复态的片厚度。
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公开(公告)号：CN1216159A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN97193795.8
申请日：1997-02-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 本发明的半导体器件为装配半导体元件2用的金属箔12的元件装配侧与相反侧的面,在器件一侧的主表面A露出的结构,可实现器件的薄壁化,且解决了封装工序注入树脂的问题而大量生产。另外,作为多层引线框架1,使用内引线部件11a和元件装配用的金属箔12,利用基材31两面有粘合剂层32、33的粘接材料3相互接合的结构,使内引线部件11a和元件2各上面的C、D位于同一平面上,被引线接合面间平整,容易薄型化,同时也实现无坝条化。本发明对厚度低于1mm的薄型半导体器件特别有效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101679668A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017343.1
申请日：2008-05-23
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , B29C55/005 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29K2023/00 , B29K2023/0683 , B29K2105/04 , B29L2007/002 , C08J7/123 , C08J2323/02 , C08J2323/06 , C08J2423/16 , C08J2423/26 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/052
Abstract: 本发明的多孔膜的制造方法，其中，将至少含有聚烯烃的树脂片进行拉伸处理来制作拉伸膜，之后对该拉伸膜照射真空紫外线。本发明的非水电解质电池用隔膜包含通过所述本发明的制造方法得到的多孔膜。本发明的非水电解质电池具有所述本发明的非水电解质电池用隔膜。
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公开(公告)号：CN101679668B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200880017343.1
申请日：2008-05-23
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , B29C55/005 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29K2023/00 , B29K2023/0683 , B29K2105/04 , B29L2007/002 , C08J7/123 , C08J2323/02 , C08J2323/06 , C08J2423/16 , C08J2423/26 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/052
Abstract: 本发明的多孔膜的制造方法，其中，将至少含有聚烯烃的树脂片进行拉伸处理来制作拉伸膜，之后对该拉伸膜照射真空紫外线。本发明的非水电解质电池用隔膜包含通过所述本发明的制造方法得到的多孔膜。本发明的非水电解质电池具有所述本发明的非水电解质电池用隔膜。
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公开(公告)号：CN1307040C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200310102672.5
申请日：2003-10-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种生产多孔膜的方法，该多孔膜具有高孔隙率和优异的透气性，即使它们具有小的膜厚度和高强度，以及生产电池隔板的方法。生产多孔膜的方法包括如下步骤：熔体捏合包括聚烯烃树脂、热塑性弹性体和溶剂的组合物；挤出和冷却熔体捏合的材料成片模塑件；辊压片模塑件；和拉伸和脱溶剂化辊压的片模塑件，其中在一定条件下进行辊压使得在辊压之后，由如下公式(1)计算的片模塑件的弹性恢复率为20%或更小：弹性恢复率(r)(%)＝100×(t-t0)/t0(1)，其中t0表示在辊压中片辊压部分的最小间隙，和t表示在压力释放之后在弹性恢复态的片厚度。
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公开(公告)号：CN1113083C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN99801265.3
申请日：1999-06-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08L63/00 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S524/904 , Y10S525/934 , C08L61/04 , C08L2666/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种含有环氧树脂、苯酚树脂、硬化促进剂和无机填充剂的半导体封装用环氧树脂组合物。该组合物具备下列特性(X)～(Z)：(X)用流动试验仪粘度表示的175℃粘度为50～500泊；(Y)用动态粘弹性测定仪测定、剪切速度5(1/s)的粘度的温度分布中，最小熔融粘度为1×105泊以下；(Z)用动态粘弹性测定仪测定、剪切速度5(1/s)的90℃粘度(Z1)与110℃粘度(Z2)之粘度比(Z1/Z2)为2.0以上。该半导体封装用环氧树脂组合物不因封装期间树脂流动而发生半导体元件位置的漂移，也不发生因金线变形引起的芯片倾斜，而且可以用来提供显示出高可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1274378A
公开(公告)日：2000-11-22
申请号：CN99801265.3
申请日：1999-06-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08L63/00 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S524/904 , Y10S525/934 , C08L61/04 , C08L2666/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种含有环氧树脂、苯酚树脂、硬化促进剂和无机填充剂的半导体封装用环氧树脂组合物。该组合物具备下列特性(X)～(Z):(X)用流动试验仪粘度表示的175℃粘度为50～500泊;(Y)用动态粘弹性测定仪测定、剪切速度5(1/s)的粘度的温度分布中,最小熔融粘度为1×105泊以下;(Z)用动态粘弹性测定仪测定、剪切速度5(1/s)的90℃粘度(Z1)与110℃粘度(Z2)之粘度比(Z1/Z2)为2.0以上。该半导体封装用环氧树脂组合物不因封装期间树脂流动而发生半导体元件位置的漂移,也不发生因金线变形引起的芯片倾斜,而且可以用来提供显示出高可靠性的半导体器件。
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