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公开(公告)号：CN104362215A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410477359.8
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1896 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/074 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上生长欧姆接触层，在欧姆接触层上生长外延保护层；将外延保护层粘接至刚性支撑模板上；采用外延衬底减薄工艺将外延衬底减薄；在减薄后的外延衬底上蒸镀背电极，并键合在柔性薄膜衬底上；去除刚性支撑模板及外延保护层；在欧姆接触层上蒸镀正面栅线电极，并通过选择性腐蚀工艺去除吸光部分的欧姆接触层，在腐蚀区域蒸镀减反射膜，裂片处理即得。本发明制造的太阳能电池转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN104241480A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/0062 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201277A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457030.5
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/0095 , H01L33/647 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201268A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410433711.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405
Abstract: 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，在外延衬底上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；在第二型电流扩展层上蒸镀形成金属反射镜层；将金属反射层键合在基板上；去除外延衬底、腐蚀截止层，露出粗化层；在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽，沟槽深度至露出欧姆接触层；在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极；在粗化层表面制作焊盘电极，且焊盘电极与扩展电极连接相通；在基板背面蒸镀背电极，去除焊盘电极、扩展电极的保护层，裂片后得到。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104167478A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391491.7
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。本发明增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208472B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN103500784A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , C30B25/02 , H01L33/0062
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN102593274A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号：CN102427105A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110352193.3
申请日：2011-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，分布布拉格反射层由两种不同材料组成，在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源，并在两种材料的界面处采用Delta掺杂。本发明因为分布布拉格反射层具有调制掺杂结构，可以有效降低发光二极管的正向工作电压，减少光吸收，提高发光二极管的效率。
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公开(公告)号：CN102299223A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110277489.3
申请日：2011-09-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明公开一种发光二极管的外延结构及其制造方法，在GaAs衬底层的上面自下而上依次为布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，所述的有源层是由n组量子阱和量子垒交替组成，其中100≥n≥2，且同一个量子垒中的势垒高度为渐变式分布或不同量子垒之间的势垒高度为渐变式分布；其制造方法包括以下步骤：选择GaAs为衬底层，在GaAs衬底层上依次生长布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，其中有源层是由n组量子阱和量子垒交替生长而成，量子垒用（AlxGa1-x）yIn1-yP三五族化合物构成，其中1≥x≥0.5，本发明增强了量子垒对电子的限制作用，提高量子阱里电子和空穴的复合率，从而提高发光二极管的亮度。
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