-
公开(公告)号：CN108878615B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810842674.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
-
公开(公告)号：CN110429166A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910784793.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN110379899A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910791673.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片通过在所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的表面形成多个盲孔，所述盲孔沿第一方向的深度小于所述P型氮化镓层的厚度，从而在不影响所述P型氮化镓层有效的电流传导面积的情况下，来减少所述P型氮化镓层对所述发光层发射的光线的吸收，提高所述P型氮化镓层的出光量，同时将所述盲孔的侧壁设置为粗糙表面，以增加所述盲孔侧壁出光量，从而进一步增加所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的出光量，提高所述LED芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN110299436A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
-
公开(公告)号：CN110165032A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910441323.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管芯片及二极管芯片的制备方法，其中，该二极管芯片包括：衬底，形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，依次位于所述P型层上的透明导电层和粗化层，所述粗化层为透明绝缘粗化层，所述透明绝缘粗化层的折射率与所述透明导电层的折射率的差值小于设定的折射率阈值；所述粗化层和所述透明导电层形成有暴露所述P型层的第一凹槽，所述发光层、所述P型层、所述透明导电层和所述粗化层形成有暴露所述N型层的第二凹槽；所述第一凹槽对应的P型层上设置有第一电极，以及，所述第二凹槽对应的N型层上设置有第二电极。本申请实施例提高了发光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473527A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811346696.8
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片和电流扩展方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸触角，所述N型电极延伸触角和所述P型电极延伸触角相互对应，以便于扩展电流，从而使得电流密度更均匀，进而提高所述半导体芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN108831976A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810783043.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
-
公开(公告)号：CN106129219B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
-
公开(公告)号：CN107768496A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
-
公开(公告)号：CN106992235A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710292721.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.033 seconds)
