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公开(公告)号：CN110783436A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911085646.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN119653939A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411831997.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/815 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法，其中LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和缓冲层结构；LED芯片的制备与分离方法，通过芯片工艺，将LED外延片刻蚀形成通过切割道互间隔排布的若干个LED芯片，切割道露出部分第一牺牲层，再采用腐蚀溶液通过显露的切割道将第一牺牲层溶解掉，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可节省研磨减薄步骤，避免现有研磨工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低，及避免激光切割LED芯粒时侧壁产生物理损伤，影响光的输出效率等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN119050235A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411370422.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法，其中，高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；其中，外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道，绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧，并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面，通过绝缘结构对沟道进行绝缘，可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险，进而提高LED芯片可靠性和稳定性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN118173676A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410358325.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片在导电基板一侧设置堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的N个发光单元，各发光单元皆包括依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，第一型半导体层与所述第二型半导体层的掺杂类型相反，且两个相邻的发光单元之间的相同掺杂类型的半导体层键合电连接，并结合第一型外接电极和第二型外接电极的设置形成并联电连接，使多个发光单元叠层的LED芯片的整体面积与单个发光单元LED芯片的面积的差异相差较小，可减小LED芯片的尺寸，有利于LED芯片的集成封装，还可以在大功率工作环境中使用。
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公开(公告)号：CN117542944A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311706858.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层；其中，防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射结构与通孔反射结构形成合金或渗透到通孔反射结构的表面，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117542932A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311789095.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。
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公开(公告)号：CN111883552B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010771244.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
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公开(公告)号：CN115732622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211555098.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
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公开(公告)号：CN115548181A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211201174.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构，且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一、第二发光结构分别形成通孔型的垂直LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述两发光结构的串联。如此，使第一发光结构和第二发光结构无需通过台阶即可在平坦的分割道上方实现桥接串联，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，由于桥接区域分布于两发光结构的分割道，不占据发光面积，可提高芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN114628561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210442069.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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