公开(公告)号：CN105070732A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510420471.2

申请日：2015-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  史戈 ,  别晓锐 ,  安彤 ,  武伟 ,  肖智轶

IPC: H01L27/146

Abstract: 高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含：分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。

公开(公告)号：CN102818765B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210310455.4

申请日：2012-08-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  刘程艳 ,  于大全 ,  万里兮

IPC: G01N19/00 ,  G01L5/00

Abstract: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。

公开(公告)号：CN103066044A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210549528.5

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103021890A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210550154.9

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种QFN封装器件的制造方法。制造形成的QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀、机械磨削和切割方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的QFN封装器件具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103021876A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210549526.6

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种高密度QFN封装器件的制造方法。制造形成的高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、以及外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103000649A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210480106.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  陈思 ,  夏国峰 ,  朱文辉

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。

公开(公告)号：CN102543937A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110457533.9

申请日：2011-12-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/4828 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45664

Abstract: 本发明公开了一种芯片上倒装芯片封装及制造方法。本封装包括引线框架、第一、第二金属材料层、母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、下填料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。母IC芯片通过粘贴材料配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置，具有凸点的子IC芯片倒转焊接配置于母IC芯片的有缘面上。下填料配置于母IC芯片与具有凸点的子IC芯片之间。塑封材料包覆母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、粘贴材料、下填料、第一金属导线和引线框架。本发明提供了基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构。

公开(公告)号：CN102446882A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110456464.X

申请日：2011-12-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/142 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/52 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装中封装系统结构及制造方法。本半导体封装中封装系统结构包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。引线键合的IC芯片配置于芯片载体上。具有凸点的IC芯片的凸点倒装焊接配置于多圈引脚的内引脚上，通过塑封材料包覆具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片形成半导体封装中封装系统结构。本发明是基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN102354689A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110345213.4

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种面阵引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法。本封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列分布。金属材料层配置于芯片载体和多个引脚的上表面和下表面位置。IC芯片配置于芯片载体上表面位置的金属材料层上，或者配置于多个引脚上表面位置的金属材料层上。绝缘填充材料配置于多个引脚的台阶式结构下和芯片载体的凹槽中。粘贴材料配置于IC芯片与芯片载体上表面的金属材料层中间或者IC芯片与多个引脚上表面的金属材料层中间。通过塑封材料包覆密封形成封装体。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN202996810U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220700022.5

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本实用新型公开了一种再布线多芯片QFN封装器件。制造形成的再布线多芯片QFN封装器件具有多个堆叠的IC芯片，其中母IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上，子IC芯片可以通过粘贴材料、隔片材料或者焊接材料配置于母IC芯片上方，绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间，母IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面，采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。