-
公开(公告)号：CN103000648B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210478706.X
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。
-
公开(公告)号：CN103021983A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210478722.9
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器领域。其包括晶圆，晶圆的正面为形成图像传感区的第一表面，晶圆的负面为第二表面；第一表面自上而下：微镜头、金属互联层和光学交互区；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O连接到硅通孔；硅通孔孔壁制作作钝化层并填充；在重分布层上用聚合物材料制作第二保护层；第一表面与玻璃片之间键合，玻璃片和晶圆之间形成空腔；第二表面进行减薄，通过蚀刻工艺形成凹槽结构并暴露出硅通孔；第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫；在线路层上制作防焊层并暴露焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明减少了工艺流程，提高了产品可靠性、生产效率，降低了生产的成本。
-
公开(公告)号：CN103000649B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210480106.7
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。
-
公开(公告)号：CN103021983B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210478722.9
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器领域。其包括晶圆，晶圆的正面为形成图像传感区的第一表面，晶圆的负面为第二表面；第一表面自上而下：微镜头、金属互联层和光学交互区；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O连接到硅通孔；硅通孔孔壁制作作钝化层并填充；在重分布层上用聚合物材料制作第二保护层；第一表面与玻璃片之间键合，玻璃片和晶圆之间形成空腔；第二表面进行减薄，通过蚀刻工艺形成凹槽结构并暴露出硅通孔；第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫；在线路层上制作防焊层并暴露焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明减少了工艺流程，提高了产品可靠性、生产效率，降低了生产的成本。
-
公开(公告)号：CN113684127B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110926345.X
申请日：2021-08-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C12M1/42 , C12M1/38 , C12M1/36 , C12M1/34 , C12M1/04 , C12M1/00 , C12N13/00 , C12N1/20 , C12P13/00 , C12R1/01
摘要： 一种促进嗜盐古菌Haloferax mediterranei合成甜菜碱的方法属于生物发酵领域。其特征在于：提高H.mediterranei发酵液的盐度，并通过在外部施加特定强度的磁场，提高甜菜碱产量。即利用渗透冲击使H.mediterranei合成更多的甜菜碱以平衡胞内外渗透压，并将外源磁场作用于H.mediterranei发酵液，实现H.mediterranei甜菜碱产量的提高。
-
公开(公告)号：CN113684127A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110926345.X
申请日：2021-08-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C12M1/42 , C12M1/38 , C12M1/36 , C12M1/34 , C12M1/04 , C12M1/00 , C12N13/00 , C12N1/20 , C12P13/00 , C12R1/01
摘要： 一种促进嗜盐古菌Haloferax mediterranei合成甜菜碱的方法属于生物发酵领域。其特征在于：提高H.mediterranei发酵液的盐度，并通过在外部施加特定强度的磁场，提高甜菜碱产量。即利用渗透冲击使H.mediterranei合成更多的甜菜碱以平衡胞内外渗透压，并将外源磁场作用于H.mediterranei发酵液，实现H.mediterranei甜菜碱产量的提高。
-
公开(公告)号：CN103000648A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478706.X
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。
-
公开(公告)号：CN105389569B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201510792096.4
申请日：2015-11-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G06K9/00
摘要： 本发明公开了一种人体姿态估计方法，其有效地解决了传统算法中存在的人体姿态易受光照、遮挡等因素影响的问题，通过将彩色图像信息与深度图像信息相融合，实现更高的鲁棒性以及定位准确度。包括步骤：(1)分部位计算特征模板，提取深度特征：以待测点到人体中心点的最短路径为极坐标方向，通过该极坐标系下依次取半径和角度所统计的深度差作为待测点的深度特征向量；(2)将各个特征模板整合起来构建人体姿态数据的树结构模型；(3)基于树结构模型构建打分函数，将待检测图像与模型进行匹配，从而实现人体特征定位。
-
公开(公告)号：CN105389569A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510792096.4
申请日：2015-11-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G06K9/00
CPC分类号： G06K9/00362
摘要： 本发明公开了一种人体姿态估计方法，其有效地解决了传统算法中存在的人体姿态易受光照、遮挡等因素影响的问题，通过将彩色图像信息与深度图像信息相融合，实现更高的鲁棒性以及定位准确度。包括步骤：(1)分部位计算特征模板，提取深度特征：以待测点到人体中心点的最短路径为极坐标方向，通过该极坐标系下依次取半径和角度所统计的深度差作为待测点的深度特征向量；(2)将各个特征模板整合起来构建人体姿态数据的树结构模型；(3)基于树结构模型构建打分函数，将待检测图像与模型进行匹配，从而实现人体特征定位。
-
公开(公告)号：CN103000649A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210480106.7
申请日：2012-11-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.03 秒)
